Описание IRF530

IRF530 является N-канальным MOSFET, предназначенным для высокоскоростных и высокомощных приложений. Он может выдерживать постоянный ток 14 А и напряжение 100 В. Он может управлять нагрузкой до 56 А в импульсном режиме. Другие транзисторы в этой серии с несколько иными характеристиками доступны, такие как IRF531, IRF532 и IRF533.

Особенности IRF530

• Динамический рейтинг dv/dt

• Быстрое переключение

• Простота параллельного соединения

• Требуемая простая схема драйвера

• Рейтинг повторяющегося лавинного пробоя

• Максимальное напряжение сток-исток VDS: 100В

• Максимальный постоянный ток стока ID: 14А

• Импульсный ток стока: 56А

• Максимальная рассеиваемая мощность: 88Вт

• Максимальное напряжение затвор-исток: ±20В

• Пиковое восстановление диода dv/dt: 5.5В/нс

• Сопротивление в открытом состоянии: 0.16?

• Общий заряд затвора Qg: 26нКл

• Рабочий диапазон температур перехода и хранения: -55?C до +175?C

• Корпус: TO-220AB

• Полярность транзистора: N-канальный

Применения IRF530

• Системы управления батареями и зарядные устройства для батарей

• Приводы двигателей

• Приложения солнечного питания

• ИБП

• DC-DC и DC-AC преобразователи

• Стабилизаторы

• Аудиоусилитель

• Драйверы соленоидов и реле