
VN7050AJTR
STMicroelectronics

Устройство является N-канальным транзистором с общим источником, режим обогащения, боковой полевой RF силовой транзистор. Оно предназначено для высокого усиления, широкополосных коммерческих и промышленных применений. Оно работает при 7 В в режиме с общим источником на частотах до 1 ГГц. Устройство обладает отличным усилением, линейностью и надежностью последней технологии LDMOS от ST, PowerSO-10RF. Превосходная линейность делает его идеальным решением для портативных радио. PowerSO10RF - это первое настоящее поверхностномонтируемое устройство (SMD) пластиковое RF силовое пакет. Оно основано на высоконадежном PowerSO-10, первом ST-происхождения, JEDEC-одобренном, высокомощном SMD пакете. Оно было специально оптимизировано для RF требований и предлагает превосходную RF производительность, а также простоту сборки.
? Отличная термическая стабильность
? Конфигурация с общим источником
? POUT = 3 Вт с усилением 12 дБ @ 500 МГц
? Новый RF пластиковый пакет
? Сетевые технологии
? SONET/SDH
? WiMax / WLAN
? Вычисления
? Фазовые замкнутые контуры
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения недоступны
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

VN7050AJTR
STMicroelectronics

BQ27441DRZR-G1A
Texas Instruments

UCC28070APW
Texas Instruments

ISL8225MIRZ
RENESAS

MIMX8MQ6DVAJZAB
NXP

GD32F407ZGT6
GD

PCI1003
Microchip

K4RAH165VB-BIWM
SAMSUNG

KLMAG1JETD-B041009
SAMSUNG

PI7C9X2G1616PRAHSBE
DIODES
Нет недавно просмотренных товаров