STB14NK50Z-1 Обзор

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", а энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 400 мДж. Максимальная входная емкость этого устройства составляет 2000 пФ при 25 В, потому что входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными клеммами с одним входом на земле. Непрерывный ток стока (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 14 А. Когда VGS=500V, и ID течет к VDS при 500VVDS, напряжение пробоя сток-исток составляет 500V в этом устройстве. Перед началом проводимости тока стока время задержки выключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 54 нс. Для этого устройства нет максимального импульсного тока стока, основанного на его номинальном пиковом токе стока 48A. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между затвором и истоком транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить его потребление мощности.

STB14NK50Z-1 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 400 мДж
непрерывный ток стока (ID) 14A
напряжение пробоя сток-исток 500V voltage
время задержки выключения составляет 54 нс
основано на его номинальном пиковом токе стока 48A.

STB14NK50Z-1 Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STB14NK50Z-1.

• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Стадии ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптера, LCD и PDP телевизоров,