Доступен ли STB16NM50N для RFQ?

Да. STB16NM50N от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

Можете ли вы предложить альтернативы для STB16NM50N?

Да. Если STB16NM50N недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

STB16NM50N - STMicroelectronics | Электронные компоненты

Name: STB16NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB16NM50N
Availability: InStock

2. Почему для STB16NM50N нет фиксированной цены?

Цена на STB16NM50N может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB16NM50N?

STB16NM50N — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tape & Reel (TR) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB16NM50N?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB16NM50N?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

STB16NM50N Обзор

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии составляет 470 mJ. Максимальная входная емкость устройства 1200pF @ 50V, но параметр входной емкости CI измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным входом. Непрерывный стоковый ток для этого устройства 15A. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Single MOSFETs transistor is the voltage at which VDS flows at a specified ID value, wSingle MOSFETs transistorh VGS=500V, and this device has a drain-to-source breakdown voltage of 500V voltage. Время задержки выключения - это время, необходимое для зарядки входной емкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 60 ns. Максимальный импульсный стоковый ток 60A, что также является его максимальным рейтингом пикового стокового тока. Перед началом проводимости стокового тока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 20 ns. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряжение между его клеммами затвор-исток, которое составляет 25V. Это устройство не использует напряжение привода (10V) для снижения общего энергопотребления.

STB16NM50N Характеристики

рейтинг лавинной энергии (Eas) 470 mJ
непрерывный стоковый ток (ID) 15A
напряжение пробоя сток-исток 500V
время задержки выключения 60 ns
на основе его номинального пикового стокового тока 60A.