Name: STB21N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB21N65M5

STB21N65M5 [STMicroelectronics]

Номер детали:

STB21N65M5

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Металл Оксид) N-канал Нарезная лента (CT) 190m ? @ 8.5A, 10V ±25V 1950pF @ 100V 50nC @ 10V TO-263-3, D2Pak (2 вывода + вкладка), TO-263AB

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

150Ohm

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB21N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Power Dissipation-Max

125W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

125W

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

17A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Rise Time

10ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

12 ns

Continuous Drain Current (ID)

17A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

68A

Avalanche Energy Rating (Eas)

400 mJ

Nominal Vgs

4 V

Height

4.6mm

Length

10.75mm

Width

10.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

Описание MOSFET STB21N65M5

STB21N65M5 N-канальный MDmeshTM V Power MOSFET построен на хорошо известной структуре горизонтального макета PowerMESHTM от STMicroelectronics и инновационной запатентованной вертикальной технологии производства. Результативный продукт обладает исключительно низким сопротивлением в открытом состоянии, которое не имеет аналогов среди кремниевых Power MOSFET, что делает его особенно идеальным для приложений, требующих лучшей мощности и исключительной эффективности.

Особенности MOSFET STB21N65M5

Лучший в мире RDS(on) * площадь

Более высокий рейтинг VDSS

Высокая способность dv/dt

Отличная коммутационная производительность

100% протестировано на лавину

Применения MOSFET STB21N65M5

Применения переключения

Светодиодные схемы

Датчики

Бытовая техника

Микроконтроллеры

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STx21N65M5

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.