STB30NM60N [STMicroelectronics]

Name: STB30NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB30NM60N
Availability: InStock

Номер детали:

STB30NM60N

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный лента и кассета (TR) 130m ? @ 12.5A, 10V ±30V 2700pF @ 50V 91nC @ 10V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Статус RoHS:

Даташит:

Статус наличия:

Доступно для RFQ

Цена:

Запросить оптовую цену

Ответ на запрос:

В течение 24 часов

Доставка:

Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

130mOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Reach Compliance Code

not_compliant

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB30N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Qualification Status

Not Qualified

Number of Elements

Power Dissipation-Max

190W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

190W

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 50V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

25A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Rise Time

24ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

70 ns

Turn-Off Delay Time

125 ns

Continuous Drain Current (ID)

25A

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

600V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

100A

Avalanche Energy Rating (Eas)

900 mJ

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

STB30NM60N Обзор

Существует явление, известное как "лавинный пробой", при котором лавинная энергия прикладывается к МОП-транзистору, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 900 мДж.Входная емкость, CI, определяется как емкость между двумя входными выводами операционного усилителя с одним входом, заземленным, и входная емкость этого устройства составляет 2700пФ @ 50В.Это устройство имеет непрерывный стоковый ток (ID) [25A], который является его максимальным непрерывным током.При заданном напряжении пробоя сток-исток будет течь заданное значение ID. При VGS=600V, напряжение пробоя сток-исток составляет 600В.Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед тем, как потечет стоковый ток. Время задержки выключения устройства составляет 125 нс.Максимальный импульсный стоковый ток 100A — это максимальный пиковый стоковый ток, на который рассчитано это устройство.Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение между выводами затвора и истока транзистора FET, и может быть 30В.Его общее потребление мощности можно уменьшить, используя напряжение привода (10В).

STB30NM60N Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 900 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 25A
напряжение пробоя сток-исток 600В
время задержки выключения составляет 125 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 100A.

STB30NM60N Применения

Существует множество STMicroelectronics
STB30NM60N применений одиночных МОП-транзисторов.

Источник бесперебойного питания
Источник питания AC-DC
Синхронный выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Микро-солнечный инвертор
Преобразователи DC/DC
Электроинструменты
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Синхронный выпрямление
Схема защиты аккумулятора

Документы

Datasheets:

STx30NM60N STB30NM60N-STMicroelectronics-datasheet-8324988.pdf

FAQ по продукту

1. Доступен ли STB30NM60N для RFQ?

Да. STB30NM60N от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

2. Почему для STB30NM60N нет фиксированной цены?

Цена на STB30NM60N может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB30NM60N?

STB30NM60N — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tape & Reel (TR) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB30NM60N?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB30NM60N?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

6. Можете ли вы предложить альтернативы для STB30NM60N?

Да. Если STB30NM60N недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

Запрос

Номер детали:

STB30NM60N

Производитель:

STMicroelectronics

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.