STB6N80K5 [STMicroelectronics]

Name: STB6N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB6N80K5

Номер детали:

STB6N80K5

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный Нарезанная лента (CT) 1.6 ? @ 2A, 10V 255pF @ 100V 7.5nC @ 10V 800V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

26 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Weight

3.949996g

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Base Part Number

STB6N

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Number of Channels

Power Dissipation-Max

85W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

255pF @ 100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

4.5A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Continuous Drain Current (ID)

4.5A

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

DS Breakdown Voltage-Min

800V

Avalanche Energy Rating (Eas)

85 mJ

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

STB6N80K5 Обзор

Явление, известное как «лавинный пробой», при котором лавинная энергия прикладывается к МОП-транзистору, и рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 85 мДж. Входная емкость, CI, определяется как емкость между двумя входными терминалами операционного усилителя с одним входом, заземленным, и входная емкость этого устройства составляет 255 пФ @ 100 В. Это устройство имеет постоянный стоковый ток (ID) [4.5A], который является его максимальным постоянным током. Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение на переходе затвор-исток МОП-транзистора, и может составлять 30 В. Для поддержания нормальной работы рекомендуется поддерживать напряжение пробоя DS выше 800 В. Для работы этого транзистора требуется напряжение 800 В от стока к истоку (Vdss). Общее энергопотребление можно снизить с помощью напряжения управления (10 В).

STB6N80K5 Особенности

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 85 мДж
постоянный стоковый ток (ID) 4.5A
напряжение сток-исток (Vdss) 800 В

STB6N80K5 Применения

Существует множество применений STMicroelectronics STB6N80K5 одиночных МОП-транзисторов.

Источник бесперебойного питания
Источник питания AC-DC
Синхронная выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Микро-солнечный инвертор
DC/DC преобразователи
Электроинструменты
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Синхронная выпрямление
Схема защиты аккумулятора

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

ST(B,D,I,P)6N80K5

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.