Номер детали:
STB80NF55L-08-1
Категория:
Транзисторы
Описание:
МОСФЕТ (Метал-Оксид) N-Канал Трубка 8m ? @ 40A, 10V ±16V 4350pF @ 25V 100nC @ 4.5V TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
Continuous Drain Current (ID)
Gate to Source Voltage (Vgs)
Drain to Source Breakdown Voltage
Avalanche Energy Rating (Eas)
Детали продукта
STB80NF55L-08-1 Обзор
Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, происходит явление пробоя и течет ток. Это называется ?Avalanche break down?, и энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 870 мДж.Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными выводами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 4350 пФ при 25 В.Ток стока является максимальным непрерывным током, который устройство может проводить, и непрерывный ток стока (ID) этого устройства составляет 80 А.Напряжение пробоя сток-исток представляет собой VDS, при котором течет заданное значение ID, с VGS=55 В. И это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 55 В.Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и его время задержки выключения составляет 85 нс.Время задержки включения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и его время задержки составляет 35 нс.Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, которое падает на выводах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 16 В.Используя напряжение привода (5 В 10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.
STB80NF55L-08-1 Особенности
номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 870 мДж
непрерывный ток стока (ID) 80 А
напряжение пробоя сток-исток 55 В
время задержки выключения 85 нс
STB80NF55L-08-1 Применения
Существует множество STMicroelectronics
применений STB80NF55L-08-1 в одиночных транзисторах MOSFET.
- LCD/LED телевизоры
- Потребительские приборы
- Освещение
- Источник бесперебойного питания
- Источник питания AC-DC
- Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер I Телеком PSU
- Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
- Микро-солнечный инвертор
- DC/DC преобразователи
- Электроинструменты
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы