Name: STD10NM65N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD10NM65N

STD10NM65N [STMicroelectronics]

Номер детали:

STD10NM65N

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-Channel Лента и Катушка (TR) 480m ? @ 4.5A, 10V ±25V 850pF @ 50V 25nC @ 10V TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

-

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

480mOhm

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STD10

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Power Dissipation-Max

90W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

90W

Turn On Delay Time

12 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 50V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

9A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Rise Time

8ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

20 ns

Turn-Off Delay Time

50 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

JEDEC-95 Code

TO-252AA

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Width

6.2mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

STD10NM65N Описание

STD10NM65N относится к семейству N-канальных мощных МОП-транзисторов, которые производятся компанией STMicroelectronics на основе технологии поколения 2 MDmesh? II. STD10NM65N имеет вертикальную структуру, обеспечивающую наименьшее сопротивление в открытом состоянии и заряд затвора среди электронных компонентов. Благодаря своим специфическим характеристикам, он хорошо подходит для самых требовательных высокочастотных преобразователей.

STD10NM65N Особенности

Low on-resistance
Low gate charge
Verticle structure
Generation 2 MDmesh? II technology
Available in the DPAK package

STD10NM65N Применения

Switching applications
High-efficiency converters

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Документы недоступны

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.