2STD1665T4 [STMicroelectronics]

2STD1665T4 Overview

Коэффициент усиления по постоянному току в этом устройстве равен 150 @ 2A 1V, который является отношением базового тока к коллекторному току.Насыщенное напряжение коллектор-эмиттер равно 600 мВ, предоставляя вам широкий спектр вариантов проектирования.Насыщение VC означает, что значение Ic находится на своем максимуме, поэтому насыщение vce (Max) составляет 380 мВ @ 300 мА, 6 А.Напряжение базы эмиттера может быть сохранено на уровне 7 В для достижения высокой эффективности.Номинальный ток относится к максимальному току, который предохранитель может пропускать в течение неопределенного периода без существенного ухудшения, и у этого устройства номинальный ток 6 А.Пробивное входное напряжение составляет 65 В.В экстремальных случаях коллекторный ток может быть таким низким, как 6 А.

2STD1665T4 Features

коэффициент усиления по постоянному току для этого устройства равен 150 @ 2A 1V
насыщенное напряжение коллектор-эмиттер 600 мВ
насыщение vce (Max) составляет 380 мВ @ 300 мА, 6 А
напряжение базы эмиттера сохраняется на уровне 7 В
номинальный ток этого устройства составляет 6 А

2STD1665T4 Applications

Существует множество STMicroelectronics
2STD1665T4 применений одиночных транзисторов BJT.

• Инвертер
• Интерфейс
• Драйвер
• Заглушение