STD30NE06LT4 [STMicroelectronics]

STD30NE06LT4 Overview

В результате лавинного пробоя энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии составляет 100 мДж.CI относится к емкости между двумя входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 2370 пФ при 25 В.В этом устройстве стоковый ток (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор.Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 60 В, где VDS соответствует ID, при котором течет заданное значение ID, и VGS равно 60 В.Имеется пиковый стоковый ток 120 А, его максимальный импульсный стоковый ток.Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, которые падают на клемме затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 20 В.Кроме снижения энергопотребления, это устройство использует напряжение привода (5 В 10 В).

STD30NE06LT4 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 100 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 30 А
напряжение пробоя сток-исток 60 В напряжение
на основе его номинального пикового стокового тока 120 А.

STD30NE06LT4 Applications

Существует множество STMicroelectronics
STD30NE06LT4 применений одиночных транзисторов MOSFET.

• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямка
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные источники питания серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени PWM для, например, PC Silverbox, адаптера, LCD и PDP TV,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.