STD3NK60ZD [STMicroelectronics]

STD3NK60ZD Обзор

Пробой MOSFET называется "лавинным пробоем", и энергия лавины, прикладываемая к транзистору, оценивается в 150 мДж (Eas). Входная емкость операционного усилителя определяется как емкость между обоими его входными выводами при замыкании одного из входов на землю, и ее максимальное значение составляет 311 пФ @ 25 В. Стоковый ток — это максимальный непрерывный ток, который может проводить устройство, и у этого устройства непрерывный стоковый ток (ID) равен 2,4 А. Пробивное напряжение сток-исток соответствует напряжению, при котором протекает заданное значение ID, где VGS составляет 600 В, и у этого устройства пробивное напряжение сток-исток равно 600 В. Входная емкость должна быть заряжена перед началом проводимости стокового тока, поэтому время выключения задержки составляет 19 нс. Пиковый стоковый ток равен 9,6 А, что является максимальным импульсным стоковым током. Напряжение затвор-исток транзистора FET, VGS, указывает, какое напряжение приложено между выводами затвора и истока транзистора, и оно может варьироваться от 30 В до 1. Используя напряжение привода (10 В), это устройство способствует снижению общего энергопотребления.

STD3NK60ZD Характеристики

рейтинг энергии лавины (Eas) — 150 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) — 2,4 А
пробивное напряжение сток-исток — 600 В
время выключения задержки — 19 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 9,6 А.

STD3NK60ZD Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STD3NK60ZD.

• AC-DC Источник питания
• Синхронный выпрямитель для ATX 1 Сервера I Телеком ИП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель
• Схема защиты аккумулятора
• Телеком Серверные источники питания