Name: STD5N52K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD5N52K3

STD5N52K3 [STMicroelectronics]

Номер детали:

STD5N52K3

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-оксид) N-канальный Ленточная упаковка (TR) 1.5 ? @ 2.2A, 10V ±30V 545пФ @ 100V 17нКл @ 10V TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

1.5Ohm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Base Part Number

STD5N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation-Max

70W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

70W

Turn On Delay Time

9 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

4.4A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Rise Time

11ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

16 ns

Turn-Off Delay Time

29 ns

Continuous Drain Current (ID)

4.4A

Threshold Voltage

3.75V

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

525V

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Width

6.2mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

STD5N52K3 MOSFET Описание

The MDmeshTM K3 Power MOSFET STD5N52K3 является продуктом улучшенной технологии MDmeshTM STMicroelectronics, а также новой оптимизированной вертикальной структуры. STD5N52K3 имеет низкое сопротивление в открытом состоянии, отличную динамическую производительность и высокую способность к лавинному пробою, что делает его идеальным для самых требовательных применений. Напряжение Сток-Источник этого устройства составляет 525 В, а напряжение Затвор-Источник — ± 30 В.

STD5N52K3 MOSFET Особенности

100% протестировано на лавинный пробой

Чрезвычайно высокая способность dv/dt

Минимизированный заряд затвора

Очень низкая собственная емкость

Улучшенные характеристики обратного восстановления диода

Защита Зенера

STD5N52K3 MOSFET Применения

Переключательные применения

ТВ SMPS

Быстрые зарядные устройства

Адаптеры

Светодиодное освещение

Микроконвертеры

Электромобили

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STB,STD,STF,STP,STU5N52K3

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.