STD70NH02LT4 [STMicroelectronics]

Обзор STD70NH02LT4

Существует лавинный пробой, при котором энергия прикладывается к MOSFET, чтобы вызвать его пробой, и эта энергия называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 360 мДж.Операционные усилители с заземленным входом имеют фиксированный параметр входной емкости, CI, и это устройство имеет максимальную входную емкость 2050 пФ @ 25 В.Устройства могут проводить максимальный непрерывный ток 3 А в области стока, поэтому непрерывный стоковый ток (ID) для этого устройства составляет 60 А.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 24 В и VGS=24 В, поэтому напряжение пробоя сток-исток в данном случае равно 24 В.Это [18 нс], потому что требуется время для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости стокового тока.Что касается пикового стокового тока, его максимальный импульсный ток составляет 240 А.Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 20 В.Устройство такого типа снижает общее энергопотребление при использовании напряжения привода (5 В 10 В).

STD70NH02LT4 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 360 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 60 А
напряжение пробоя сток-исток 24 В
время задержки выключения составляет 18 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 240 А.

STD70NH02LT4 Applications

Существует множество применений STMicroelectronics
STD70NH02LT4 для одиночных транзисторов MOSFET.

• Синхронная выпрямление для ATX 1 Сервер I Телеком БП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструмент
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телеком 1 Сервер Источники питания
• Промышленные источники питания