Name: STD7NM80-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD7NM80-1

STD7NM80-1 Обзор

Существует явление, известное как "лавинный пробой", при котором лавинная энергия прикладывается к MOSFET, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 240 мДж. Входная емкость, CI, определяется как емкость между двумя входными терминалами операционного усилителя с одним входом на земле, и входная емкость этого устройства составляет 620 пФ @ 25 В. Это устройство имеет непрерывный стоковый ток (ID) [6.5A], который является его максимальным непрерывным током. При заданном напряжении пробоя сток-исток будет течь заданное значение ID. При VGS=800V напряжение пробоя сток-исток составляет 800 В. Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед тем, как потечет стоковый ток. Время задержки выключения устройства составляет 35 нс. Максимальный импульсный стоковый ток 26A — это максимальный пиковый стоковый ток, на который рассчитано это устройство. Во время включения входная емкость устройства заряжается перед началом проводимости стокового тока, поэтому его время задержки составляет 20 нс. Напряжение затвор-исток, или VGS, это напряжение на терминале затвор-исток транзистора FET, и может быть 30 В. Электрические устройства имеют пороговые напряжения, при которых их операции становятся активными, и у этого транзистора пороговое напряжение составляет 4 В. Его общее потребление мощности можно уменьшить, используя напряжение привода (10 В).

STD7NM80-1 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 240 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 6.5A
напряжение пробоя сток-исток 800 В
время задержки выключения составляет 35 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 26A.
пороговое напряжение 4 В