Name: STE180NE10
Brand: STMicroelectronics
SKU: STE180NE10

STE180NE10 [STMicroelectronics]

Номер детали:

STE180NE10

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный Трубка 6 ? @ 40A, 10V ±20V 21000pF @ 25V 795nC @ 10V ISOTOP

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Chassis Mount, Screw

Mounting Type

Chassis Mount

Package / Case

ISOTOP

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Nickel (Ni)

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Voltage - Rated DC

100V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Position

UPPER

Terminal Form

UNSPECIFIED

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Reach Compliance Code

not_compliant

Current Rating

180A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STE1

Pin Count

Qualification Status

Not Qualified

Number of Elements

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation-Max

360W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

360W

Case Connection

ISOLATED

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

21000pF @ 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

180A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

795nC @ 10V

Rise Time

600ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

440 ns

Turn-Off Delay Time

430 ns

Continuous Drain Current (ID)

180A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain-source On Resistance-Max

6Ohm

Drain to Source Breakdown Voltage

100V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

360A

Avalanche Energy Rating (Eas)

720 mJ

Isolation Voltage

2.5kV

Nominal Vgs

3 V

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

STE180NE10 Описание

STE180NE10 является 100v N-канальным STripFET? мощным МОП-транзистором. Этот мощный МОП-транзистор STE180NE10 является последним разработкой STMicroelectronics уникального "Single Feature Size?" процесса на основе полосок. Полученный транзистор демонстрирует чрезвычайно высокую плотность упаковки для низкого сопротивления в открытом состоянии, надежные характеристики лавинного пробоя, и менее критичные шаги выравнивания поэтому замечательную воспроизводимость производства.

STE180NE10 Особенности

100% протестировано на лавинный пробой
Низкая собственная емкость
Заряд затвора минимизирован
Сниженное разброс напряжения
Напряжение сток-исток (VGS = 0): 100v

STE180NE10 Применения

Вращающийся переключатель
DIP-переключатель
Конечный выключатель
Герконовый переключатель
Колебательный переключатель
Тумблер

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STE180NE10

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.