STF18NM60ND [STMicroelectronics]

Name: STF18NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STF18NM60ND

Номер детали:

STF18NM60ND

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Металл-оксид) N-канальный трубка 290m ? @ 6.5A, 10V ±25V 1030pF @ 50V 34nC @ 10V 600V TO-220-3 Полный пакет

Статус RoHS:

Даташит:

Статус наличия:

Доступно для RFQ

Цена:

Запросить оптовую цену

Ответ на запрос:

В течение 24 часов

Доставка:

Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Base Part Number

STF18

Number of Elements

Power Dissipation-Max

30W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

ISOLATED

Turn On Delay Time

55 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 50V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

13A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Rise Time

15.5ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

18 ns

Turn-Off Delay Time

13 ns

Continuous Drain Current (ID)

13A

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain-source On Resistance-Max

0.29Ohm

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

52A

Avalanche Energy Rating (Eas)

187 mJ

Height

16.4mm

Length

10.6mm

Width

4.6mm

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Детали продукта

Обзор STF18NM60ND

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", а энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 187 мДж.Максимальная входная емкость этого устройства составляет 1030 пФ @ 50 В, потому что входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными клеммами при заземлении одного входа.Непрерывный стоковый ток (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 13 А.Когда VGS=650 В, и ID течет к VDS при 650 В VDS, напряжение пробоя сток-исток в этом устройстве составляет 650 В.Перед началом проводимости стокового тока время задержки отключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 13 нс.Для этого устройства нет максимального импульсного стокового тока на основе его номинального пикового стокового тока 52 А.Во время включения устройства входная емкость должна заряжаться в течение некоторого времени перед началом проводимости стокового тока, поэтому время задержки составляет 55 нс секунд.Один транзистор MOSFET — это напряжение между затвором и истоком транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS.Напряжение сток-исток (Vdss) этого транзистора должно быть 600 В для работы.Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить его энергопотребление.

Особенности STF18NM60ND

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 187 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 13 А
напряжение пробоя сток-исток 650 В
время задержки отключения составляет 13 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 52 А.
напряжение сток-исток 600 В (Vdss)

Применения STF18NM60ND

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STF18NM60ND.

Микро-солнечный инвертор
Преобразователи DC/DC
Электроинструменты
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Синхронная выпрямление
Схема защиты аккумулятора
Источники питания для телекоммуникационных серверов
Промышленные источники питания
Стадии PFC, стадии ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
Стадии ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптера, LCD и PDP TV,

Документы

Datasheets:

STx18NM60ND

FAQ по продукту

1. Доступен ли STF18NM60ND для RFQ?

Да. STF18NM60ND от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

2. Почему для STF18NM60ND нет фиксированной цены?

Цена на STF18NM60ND может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STF18NM60ND?

STF18NM60ND — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tube и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STF18NM60ND?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STF18NM60ND?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

6. Можете ли вы предложить альтернативы для STF18NM60ND?

Да. Если STF18NM60ND недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

Запрос

Номер детали:

STF18NM60ND

Производитель:

STMicroelectronics

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.