STF35N65M5 Overview

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется энергией лавины, и рейтинг энергии лавины составляет 800 мДж. CI относится к емкости между двумя входными выводами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 3750 пФ @ 100 В. В этом устройстве ток стока (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 650 В, где VDS соответствует ID, при котором протекает заданное значение ID, и VGS равно 650 В. В результате времени задержки выключения, которое составляет 60 нс, устройство затрачивает время на заряд своей входной емкости перед началом проводимости тока стока. Заряд входной емкости задерживает проводимость тока стока до тех пор, пока время, необходимое для заряда входной емкости, не достигнет 60 нс. Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, которые падают на выводах затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда 25VV. Кроме снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение управления (10 В).

STF35N65M5 Features

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 800 мДж
непрерывный ток стока (ID) 27 А
напряжение пробоя сток-исток 650 В
время задержки выключения составляет 60 нс

STF35N65M5 Applications

Существует множество применений STMicroelectronics STF35N65M5 одиночных транзисторов MOSFET.

• преобразователи DC/DC
• электроинструменты
• приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• синхронная выпрямление
• цепь защиты аккумулятора
• энергопитание телекоммуникационных серверов
• промышленные источники питания
• стадии PFC, стадии ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• стадии ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
• Освещение, Серверы, Телекоммуникации и ИБП.