Name: STF6N52K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STF6N52K3

Обзор STF6N52K3

Происходит лавинный пробой, при котором энергия прикладывается к MOSFET, вызывая его пробой, и эта энергия называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 110 мДж. Операционные усилители с заземленным входом имеют фиксированный параметр входной емкости CI, и у этого устройства максимальная входная емкость составляет 670 пФ @ 50 В. Устройства могут проводить максимальный непрерывный ток 3 А в области стока, поэтому непрерывный стоковый ток (ID) для этого устройства составляет 5 А. В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 525 В, и VGS=525 В, поэтому напряжение пробоя сток-исток в данном случае равно 525 В. Устройство может проводить максимальный непрерывный ток [5 А] в соответствии с его стоковым током. Это [31 нс], потому что требуется время для зарядки входной емкости устройства, прежде чем может начаться проводимость стокового тока. Что касается пикового стокового тока, его максимальный импульсный ток составляет 20 А. Время включения 10 нс указывает время, необходимое для зарядки входной емкости устройства, прежде чем начнется проводимость стокового тока. Как правило, напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 30 В. Обычно электрические устройства настроены на активацию всех своих операций при пороговых напряжениях, и пороговое напряжение этого транзистора составляет 3,75 В. Такое устройство снижает общее энергопотребление, когда использует напряжение привода (10 В).

STF6N52K3 Features

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 110 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 5 А
напряжение пробоя сток-исток 525 В
время выключения 31 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 20 А.
пороговое напряжение 3,75 В