STFILED524 Обзор

Лавинный пробой происходит, когда энергия прикладывается к MOSFET, и рейтинги лавинной энергии (Eas) составляют 110 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 340 пФ @ 100 В, что определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом.Непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 4 А, что представляет максимальный непрерывный ток, который оно может проводить.В этом устройстве стоковый ток составляет 4 А, что является максимальным непрерывным током, который устройство может проводить.Время задержки выключения составляет 21 нс, что является временем зарядки входной емкости устройства до начала проводимости стокового тока.Зарядка входной емкости занимает время до начала проводимости стокового тока, поэтому время задержки включения составляет 8 нс.Напряжение затвор-исток, или VGS, это напряжение между затвором и истоком транзистора FET, и может быть 30 В.Для поддержания нормальной работы рекомендуется, чтобы напряжение пробоя DS было выше 525 В.Этот транзистор требует напряжение сток-исток 525 В (Vdss).Это устройство снижает общее потребление мощности за счет использования напряжения привода (10 В).

STFILED524 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 110 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 4 А
время задержки выключения составляет 21 нс
напряжение сток-исток 525 В (Vdss)

STFILED524 Применения

Существует множество применений STMicroelectronics
STFILED524 одиночных транзисторов MOSFET.

• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком Блок питания
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания