Обзор STI20N65M5

Этот тип пробоя называется "лавинным пробоем", а энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 270 мДж.Максимальная входная емкость этого устройства составляет 1434 пФ @ 100 В, потому что входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными выводами с одним входом на земле.Непрерывный стоковый ток (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 18 А.Когда VGS=650 В, и ID течет к VDS при 650 V VDS, напряжение пробоя сток-исток в этом устройстве составляет 650 В.Для этого устройства нет максимального импульсного стокового тока, основанного на его номинальном пиковом стоковом токе 72 А.Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между выводами затвор-исток транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS.Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает уменьшить его энергопотребление.

Особенности STI20N65M5

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 270 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 18 А
напряжение пробоя сток-исток 650 В
основано на его номинальном пиковом стоковом токе 72 А.

Применения STI20N65M5

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STI20N65M5 от STMicroelectronics.

• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные источники питания серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ, например, для PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP TV,