Номер детали:
STI24NM60N
Категория:
Транзисторы
Описание:
MOSFET (Metal Oxide) N-канальный Tube 190m ? @ 8A, 10V ±30V 1400pF @ 50V 46nC @ 10V 600V TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 7 months ago)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
Continuous Drain Current (ID)
Gate to Source Voltage (Vgs)
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
Детали продукта
STI24NM60N Обзор
Максимальная входная емкость этого устройства составляет 1400 пФ при 50 В, поскольку входная емкость операционного усилителя определяется как разница между входными клеммами с одним входом, заземленным. Непрерывный стоковый ток (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 17 А. Перед началом проводимости стокового тока время задержки выключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 73 нс. Для этого устройства нет максимального импульсного стокового тока, основанного на его номинальном пиковом стоковом токе 68 А. Во время включения устройства входная емкость должна быть заряжена в течение определенного времени перед началом проводимости стокового тока, поэтому время задержки составляет 11,5 нс. Транзистор MOSFET — это напряжение между затвором и истоком транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS. Напряжение порога этого транзистора составляет 3 В, что указывает на то, что транзистор готов выполнять любые свои операции при этом напряжении. Для поддержания нормальной работы рекомендуется, чтобы напряжение пробоя DS было выше 600 В. Напряжение сток-исток (Vdss) этого транзистора должно быть 600 В для работы. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить его энергопотребление.
STI24NM60N Особенности
непрерывный стоковый ток (ID) 17 А
время задержки выключения 73 нс
основано на его номинальном пиковом стоковом токе 68 А.
напряжение порога 3 В
напряжение сток-исток 600 В (Vdss)
STI24NM60N Применения
Существует множество применений транзисторов MOSFET STMicroelectronics STI24NM60N.
- Микро-солнечный инвертор
- DC/DC преобразователи
- Электроинструменты
- Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
- Синхронный выпрямитель
- Схема защиты аккумулятора
- Источники питания для телекоммуникационных серверов
- Промышленные источники питания
- Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
- Ступени ШИМ, например, для PC Silverbox, адаптеров, ЖК и PDP телевизоров,
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы