STL24NM60N Overview

Лавинный пробой происходит, когда энергия прикладывается к MOSFET, и рейтинги лавинной энергии (Eas) составляют 300 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 1400 пФ @ 50 В, которая определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом.Непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 16 А, что представляет максимальный непрерывный ток, который он может проводить.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 600 В, и напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором протекает заданное значение ID.Заряд входной емкости занимает время до начала проводимости стокового тока, поэтому время включения задержки составляет 11.5 нс.Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET и может составлять 25 В.Пороговое напряжение электрического устройства — это точка, в которой любая из его операций станет активной, и у этого транзистора пороговое напряжение составляет 4 В.Это устройство снижает общее энергопотребление за счет использования напряжения привода (10 В).

STL24NM60N Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 300 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 16 А
напряжение пробоя сток-исток 600 В
пороговое напряжение 4 В

STL24NM60N Applications

Существует множество применений STMicroelectronics STL24NM60N одиночных транзисторов MOSFET.

• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Импульсный источник питания
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком ИБП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания