Обзор STL42N65M5

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия составляет 950 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 4650 пФ @ 100 В, но параметр входной емкости, CI, измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом.Непрерывный стоковый ток для этого устройства составляет 34 А.Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток.Транзистор с одним MOSFET имеет напряжение, при котором VDS протекает при заданном значении ID, wSingle MOSFETs transistorh VGS=650V, и это устройство имеет напряжение пробоя между стоком и истоком 650 V.Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряние между его затвором и истоком, которое составляет 25 V.Это устройство не использует напряжение привода (10 V) для снижения общего энергопотребления.

Особенности STL42N65M5

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 950 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 34 А
напряжение пробоя между стоком и истоком 650 V

Применение STL42N65M5

Существует множество применений транзисторов с одним MOSFET от STMicroelectronics
STL42N65M5.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникации 1 Серверные блоки питания
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, жесткое коммутирующее ШИМ и резонансное коммутирование
• ШИМ стадии для например PC Silverbox, адаптер, LCD & PDP TV,
• Освещение, сервер, телекоммуникации и ИБП.
• DC-to-DC преобразователи