Name: STB24NM65N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB24NM65N

STB24NM65N Обзор

в этом случае MOSFET подвержен пробою с лавинным разрядом, приложенная энергия называется лавинной энергией, и номинальное значение лавинной энергии (Eas) для MOSFET составляет 500 мДж. В качестве параметра входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными клеммами, когда один вход заземлен, максимальная входная емкость этого устройства составляет 2500 пФ при 50 В. Это устройство проводит непрерывный ток стока (ID) 19 А, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. Используя VGS=650 В и указанное значение ID, напряжение пробоя сток-исток является VDS, при котором протекает указанное значение ID. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 650 В (то есть, нет потока заряда от стока к истоку). Когда устройство выключено, время задержки выключения 80 нс, так как входная емкость заряжается перед началом проводимости тока стока. Импульсный ток стока является максимальным номинальным пиковым током стока 76 А. Перед тем, как начнется проводимость тока стока, время задержки включения устройства тратится на заряд его входной емкости. Это время задержки 25 нс. Напряжение на клемме затвор-исток транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 25 В. Активация любой электрической операции происходит при напряжении порога, и этот транзистор имеет пороговое напряжение 3 В. Для снижения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10 В).

STB24NM65N Характеристики

номинальное значение лавинной энергии (Eas) 500 мДж
непрерывный ток стока (ID) 19 А
напряжение пробоя сток-исток 650 В
время задержки выключения 80 нс
на основе его номинального пикового тока стока 76 А.
пороговое напряжение 3 В