STP180N10F3 Overview

CI относится к ёмкости между двумя входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная ёмкость этого устройства составляет 6665pF @ 25V. В этом устройстве дренажный ток (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 100V, где VDS соответствует ID, при котором течет заданное значение ID, и VGS равно 100V. В результате времени задержки выключения, которое составляет 99.9 нс, устройство затрачивает время на заряд своей входной ёмкости перед началом проводимости дренажного тока. Имеется пиковый дренажный ток 480A, его максимальный импульсный дренажный ток. Заряд входной ёмкости задерживает проводимость дренажного тока до тех пор, пока время, необходимое для заряда входной ёмкости, не достигнет 25.6 нс. Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, падающие на клемме затвор-исток транзисторов MOSFET. VGS иногда составляет 20V. Кроме того, для снижения потребления мощности это устройство использует напряжение привода (10V).

STP180N10F3 Features

непрерывный дренажный ток (ID) 120A
напряжение пробоя сток-исток 100V
время задержки выключения составляет 99.9 нс
на основе его номинального пикового дренажного тока 480A.

STP180N10F3 Applications

Существует множество применений STMicroelectronics STP180N10F3 одиночных транзисторов MOSFET.

• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямка
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные источники питания 1 Sever
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени PWM для например, PC Silverbox, адаптер, LCD и PDP TV,
• Освещение, Сервер, Телекоммуникации и ИБП.