Name: STP18NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP18NM60ND

Обзор STP18NM60ND

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия составляет 187 мДж. CI относится к емкости между двумя входными клеммами на операционном усилителе с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 1030 пФ при 50 В. В этом устройстве ток стока (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 650 В, где VDS соответствует ID, при котором протекает заданное значение ID, а VGS равно 650 В. В результате времени задержки выключения, которое составляет 13 нс, устройство тратит время на заряд своей входной емкости до начала проводимости тока стока. Существует пиковый ток стока 52 А, его максимальный импульсный ток стока. Заряд входной емкости задерживает проводимость тока стока до тех пор, пока время, необходимое для заряда входной емкости, не достигнет 55 нс. Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, падающие на клемме затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 25 В. Транзистор должен получать напряжение сток-исток 600 В (Vdss) для функционирования. Кроме снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (10 В).

Особенности STP18NM60ND

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 187 мДж
непрерывный ток стока (ID) 13 А
напряжение пробоя сток-исток 650 В
время задержки выключения составляет 13 нс
на основе его номинального пикового тока стока 52 А.
напряжение сток-исток 600 В (Vdss)