Name: STD11N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD11N60DM2

Номер детали

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STD11

Power Dissipation-Max

110W Tc

FET Type

N-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

614pF @ 100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

10A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

STD11N60DM2 Описание

Транзистор STD11N60DM2 является МОП-полевым транзистором RF мощности, предназначенным для использования в сигнальных приложениях. Специальная упаковка с низким тепловым сопротивлением делает МОП-транзистор STD11N60DM2 подходящим для ISM-приложений, где надежность и долговечность являются необходимыми. Имеет общую конфигурацию истока.

STD11N60DM2 Особенности

Золотое металлизирование

Отличная термостабильность

Общая конфигурация истока

Термически улучшенная упаковка

STD11N60DM2 Применения

ISM-приложения

Приложения с большими сигналами постоянного тока

Коррекция коэффициента мощности

Электронные балласты ламп

Плоскопанельный дисплей

Ключевые особенности недоступны