STB40NF10LT4 Обзор

Максимальная входная емкость устройства составляет 2300 пФ при 25 В, но параметр входной емкости CI измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом. Его непрерывный стоковый ток составляет 40 А для этого устройства. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, при котором VDS протекает при заданном значении ID, с VGS=100 В, и это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 100 В. Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 64 нс. Перед началом проводимости стокового тока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 25 нс. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 15 В. Пороговое напряжение электрического устройства определяет, когда начнется любая из его операций, и у этого транзистора пороговое напряжение составляет 1,7 В. Это устройство не использует напряжение привода (5 В 10 В) для снижения общего энергопотребления.

STB40NF10LT4 Особенности

непрерывный стоковый ток (ID) 40 А
напряжение пробоя сток-исток 100 В
время задержки выключения 64 нс
пороговое напряжение 1,7 В

STB40NF10LT4 Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STB40NF10LT4.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямка
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптеров, ЖК и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
• Преобразователи DC-DC