STP200N4F3 [STMicroelectronics]

STP200N4F3 Overview

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и номинальная лавинная энергия составляет 862 мДж.CI относится к емкости между двумя входными клеммами на операционном усилителе с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 5100 пФ @ 25 В.В этом устройстве стоковый ток (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор.Это устройство имеет пробойное напряжение сток-исток 40 В, где VDS соответствует ID, при котором протекает заданное значение ID, и VGS равно 40 В.В результате времени задержки выключения, которое составляет 90 нс, устройству требуется время для зарядки своей входной емкости перед началом проводимости стокового тока.Имеется пиковый стоковый ток 480 А, его максимальный импульсный стоковый ток.Заряд входной емкости задерживает проводимость стокового тока до тех пор, пока время, необходимое для зарядки входной емкости, не достигнет 19 нс.Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, которые падают на клемме затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 20VV.Кроме снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (10 В).

STP200N4F3 Features

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 862 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 120 А
пробойное напряжение сток-исток 40 В
время задержки выключения составляет 90 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 480 А.

STP200N4F3 Applications

Существует множество применений STMicroelectronics STP200N4F3 в одиночных транзисторах MOSFET.

• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ, например, для PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.