Обзор STP30NM60ND

Одиночный транзистор MOSFET называется "лавинный пробой", и лавинная энергия прикладывается к транзисторам MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет рейтинг 900 мДж. При заземлении любого входа параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными терминалами операционного усилителя. Это устройство имеет максимальную входную емкость 2800 пФ @ 50 В. Ток стока устройства - это его максимальный непрерывный ток, и это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) 25 А. С напряжением пробоя сток-исток 600 В и скоростью тока сток-исток 1, это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 600 В. Время задержки выключения - это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и оно составляет 110 нс. Одиночный транзистор MOSFET - это напряжение, которое падает на терминале затвор-исток транзистора FET, которое называется напряжением затвор-исток, VGS. Использование напряжения привода (10 В) снижает общее потребление мощности этого устройства.

Особенности STP30NM60ND

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 900 мДж
непрерывный ток стока (ID) 25 А
напряжение пробоя сток-исток 600 В
время задержки выключения составляет 110 нс

Применения STP30NM60ND

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STP30NM60ND.

• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• AC-DC источник питания
• Синхронный выпрямитель для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель