STB75NH02LT4 [STMicroelectronics]

Name: STB75NH02LT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB75NH02LT4
Availability: InStock

Номер детали:

STB75NH02LT4

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный Отрезная лента (CT) 8m ? @ 30A, 10V ±20V 2050pF @ 15V 22nC @ 5V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Статус RoHS:

Даташит:

Статус наличия:

Доступно для RFQ

Цена:

Запросить оптовую цену

Ответ на запрос:

В течение 24 часов

Доставка:

Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

24V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Current Rating

75A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB75N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Power Dissipation-Max

80W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

80W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

12 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 15V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

60A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Rise Time

200ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

5V 10V

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

25 ns

Turn-Off Delay Time

18 ns

Continuous Drain Current (ID)

60A

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain-source On Resistance-Max

0.014Ohm

Drain to Source Breakdown Voltage

24V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

240A

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Детали продукта

STB75NH02LT4 Overview

Входная емкость операционного усилителя определяется как емкость между обоими его входными клеммами с заземленным любым входом, и 2050pF @ 15V является его максимальной входной емкостью. Ток стока является максимальным непрерывным током, который устройство может проводить, и это устройство имеет непрерывный ток стока 60A (ID). Напряжение пробоя между стоком и истоком соответствует напряжению, при котором течет заданное значение ID, где VGS равно 24V, и это устройство имеет напряжение пробоя между стоком и истоком 24VV. Входная емкость должна быть заряжена перед началом проводимости тока стока, поэтому время выключения задержки составляет 18 нс. Пиковый ток стока составляет 240A, что является максимальным импульсным током стока. Перед началом проводимости тока стока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 12 нс. Напряжение затвор-исток транзистора FET, VGS, указывает, сколько напряжения прикладывается между затвором и истоком транзистора, и оно может варьироваться от 20V до 1. Используя напряжение привода (5V 10V), это устройство способствует снижению общего энергопотребления.

STB75NH02LT4 Features

непрерывный ток стока (ID) 60A
напряжение пробоя между стоком и истоком 24V
время выключения задержки 18 нс
на основе его номинального пикового тока стока 240A.

STB75NH02LT4 Applications

Существует множество применений STMicroelectronics
STB75NH02LT4 одиночных транзисторов MOSFET.

Импульсный источник питания
Синхронная выпрямление для ATX 1 Сервера И Телеком PSU
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Микро-солнечный инвертор
DC/DC преобразователи
Электроинструменты
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Синхронная выпрямление
Схема защиты аккумулятора
Телеком 1 Сервер Источники питания

Документы

Datasheets:

STB75NH02L

FAQ по продукту

1. Доступен ли STB75NH02LT4 для RFQ?

Да. STB75NH02LT4 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

2. Почему для STB75NH02LT4 нет фиксированной цены?

Цена на STB75NH02LT4 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB75NH02LT4?

STB75NH02LT4 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Cut Tape (CT) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 5V 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB75NH02LT4?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB75NH02LT4?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

6. Можете ли вы предложить альтернативы для STB75NH02LT4?

Да. Если STB75NH02LT4 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

Запрос

Номер детали:

STB75NH02LT4

Производитель:

STMicroelectronics

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.