STP4NB50 Обзор

Лавинный пробой происходит при приложении энергии к MOSFET, и лавинные энергетические рейтинги (Eas) составляют 220 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 400 пФ @ 25 В, которая определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом.Непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 3,8 А, что представляет максимальный непрерывный ток, который он может проводить.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 500 В, и напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором протекает заданное значение ID.В отношении импульсного стокового тока он имеет максимум 15,2 А, что является его максимальным номинальным пиковым стоковым током.Заряд входной емкости занимает время до начала проводимости стокового тока, поэтому время включения задержки составляет 11 нс.Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET и может составлять 30 В.Это устройство снижает общее энергопотребление за счет использования напряжения привода (10 В).

STP4NB50 Особенности

лавинный энергетический рейтинг (Eas) составляет 220 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 3,8 А
напряжение пробоя сток-исток 500 В
на основе его номинального пикового стокового тока 15,2 А.

STP4NB50 Применения

Существует множество STMicroelectronics
STP4NB50 применений одиночных транзисторов MOSFET.

• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер I Телеком PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания