Name: STP7N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP7N60M2

STP7N60M2 Обзор

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", а энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 99 мДж. Максимальная входная емкость этого устройства составляет 271 пФ @ 100 В, потому что входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными выводами с одним входом, заземленным. Постоянный стоковый ток (ID) — это максимальный постоянный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 5 А. Когда VGS=600 В, и ID течет к VDS при 600VVDS, напряжение пробоя сток-исток в этом устройстве составляет 600 В. Как показано в таблице ниже, стоковый ток этого устройства составляет 5 А. Перед началом проводимости стокового тока время задержки выключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 19,3 нс. Для этого устройства нет максимального импульсного стокового тока, основанного на его номинальном пиковом стоковом токе 20 А. Во время включения устройства входная емкость должна быть заряжена в течение периода времени перед началом проводимости стокового тока, поэтому время задержки составляет 7,6 нс. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между выводами затвор-исток транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS. Пороговое напряжение этого транзистора составляет 3 В, что указывает на то, что транзистор готов выполнять любые свои операции при этом напряжении. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает уменьшить его потребление мощности.

STP7N60M2 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 99 мДж
постоянный стоковый ток (ID) 5 А
напряжение пробоя сток-исток 600 В
время задержки выключения составляет 19,3 нс
основано на его номинальном пиковом стоковом токе 20 А.
пороговое напряжение 3 В