STW18N60M2 Обзор

Одиночный транзистор MOSFET называется "лавинным пробоем", и лавинная энергия прикладывается к MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет номинальное значение 135 мДж. При заземлении любого входа параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными выводами операционного усилителя. Это устройство имеет максимальную входную емкость 791 пФ @ 100 В. Ток стока устройства — это его максимальный непрерывный ток, и это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) 13 А. Пиковый ток стока для этого устройства составляет 52 А, что является его максимальным импульсным током стока. Для поддержания нормальной работы напряжение пробоя DS должно быть выше 600 В. Одиночный транзистор MOSFET должен иметь напряжение сток-исток (Vdss) 600 В. Использование напряжения привода (10 В) снижает общее потребление мощности этого устройства.

STW18N60M2 Характеристики

номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 135 мДж
непрерывный ток стока (ID) 13 А
на основе его номинального пикового тока стока 52 А.
напряжение сток-исток 600 В (Vdss)

STW18N60M2 Применения

Существует множество STMicroelectronics
применений одиночных транзисторов MOSFET STW18N60M2.

• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление