
ISL8215MIRZ
RENESAS

This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения недоступны
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

ISL8215MIRZ
RENESAS

MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron

ACPL-P343-500E
Broadcom

ISL94202IRTZ-T
RENESAS

KHBBC4B03C-MC1K
SAMSUNG

H9TQ64A8GTDCUR-KUM
SK HYNIX

MT48H32M16LFB4-6 IT:C
Micron

TMS320F28035PAGS
Texas Instruments

FS32K118LFT0VLHT
NXP

K4A8G085WC-BIWE
SAMSUNG
Нет недавно просмотренных товаров