
K4RAH165VB-BIWM
SAMSUNG

Thanks to its junction temperature Tj up to 150 °C, the TN5015H-8I offers high thermal performance operation up to 50 A RMS in an insulated TO-220AB package.
Its trade-off noise immunity (dV/dt = 1000 V/μs) versus its gate triggering current (IGT = 15 mA) and its turn-on current rise (dI/dt = 200 A/μs) allow to design robust and compact control circuit in AC/DC converters for inrush current limiting circuits and industrial drives, such as overvoltage crowbar protection, motor control circuits and power tools.
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения недоступны
Документы недоступны
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

K4RAH165VB-BIWM
SAMSUNG

MPU-6000EVB
TDK

TLP2361(TPL,E(T
TOSHIBA

ISM330DHCX
STMicroelectronics

GD32F407ZGT6
GD

BQ27441DRZR-G1A
Texas Instruments

TMS320F28035PAGS
Texas Instruments

AD7124-8BCPZ-RL
Analog Devices

ATSAME70Q21B-CFN
Microchip

MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR
Micron
Нет недавно просмотренных товаров