DRAM

K4A8G165WC-BCTD из SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC в наличии на AIchiplink，SDRAM DDR4 1.333GHz FBGA-96 DDR SDRAM ROHS

Samsung K4A8G085WC-BCTD — это чип памяти DDR4 SDRAM объёмом 8 Гбит, с организацией 1 Г × 8 бит, низковольтным питанием 1,2 В, поддержкой скорости передачи данных DDR4-3200 и компактным корпусом FBGA с 78 шариковыми выводами. Предназначен для встраиваемых вычислений, сетевого оборудования, промышленной автоматизации, устройств периферийного ИИ и высокопроизводительных электронных систем, этот чип памяти Samsung DDR4 обеспечивает высокую пропускную способность, эффективное энергопотребление и надёжную работу в передовых приложениях памяти.

SK hynix H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb DDR4 SDRAM x8 3200 Мбит/с FBGA-78 микросхема памяти SK hynix H5AN8G8NDJR-XNC — это компонент памяти DDR4 SDRAM ёмкостью 8 Гбит с организацией x8, скоростью передачи данных DDR4-3200, низким энергопотреблением 1,2 В и компактным корпусом FBGA-78. Предназначенная для промышленных вычислений, сетевого оборудования, встраиваемых систем и приложений ИИ на периферии, эта память DDR4 обеспечивает высокоскоростной доступ к данным, надёжную работу и эффективное энергопотребление для современных электронных платформ.

MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C is a 128Gb LPDDR5 SDRAM memory device manufactured by Micron Technology. Featuring a 2G × 64 organization, x64 data bus, 441-ball TFBGA package, and high-speed LPDDR5 mobile DRAM architecture, it is designed for smartphones, tablets, automotive electronics, AI edge devices, embedded computing platforms, smart cameras, and multimedia systems. The MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C delivers high memory density, low power consumption, compact integration, and reliable Micron LPDDR5 performance for advanced electronic designs.

LPDDR4 16 Гбит x32 3733 Mbps 1.1 В.Память IC 16 Гбит Параллельный 1866 MHz

K4FBE3D4HB-KHCL02V — это мобильный DRAM-чип LPDDR4 компании Samsung объёмом 32 Гбит, организованный как 1 Г × 32 и поставляемый в компактном корпусе FBGA с 200 шариками. Поддерживая максимальную скорость передачи данных до 4266 Мбит/с и работу в энергосберегающем режиме LPDDR4, данный чип подходит для мобильных устройств, встраиваемых вычислительных платформ, автомобильных информационно-развлекательных систем, промышленных граничных систем, устройств искусственного интеллекта и интернета вещей (AIoT), сетевого оборудования, систем обработки видео, а также высокопроизводительных решений на основе SoC, требующих внешней памяти с высокой пропускной способностью.

MT60B4G8AT-64B:B — это микросхема памяти Micron DDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит, организованная как 4 Г × 8 и поставляемая в корпусе VFBGA на 78/117 шариков. Предназначена для высокопроизводительных систем памяти DDR5-6400 и подходит для серверов, центров обработки данных, платформ искусственного интеллекта, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных вычислительных систем, систем хранения данных, встраиваемых высокопроизводительных плат и других применений, требующих внешней системной памяти высокой плотности и высокой скорости.

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D — это 32-гигабитное устройство LPDDR4 SDRAM производства Micron Technology. Имея организацию 1G × 32, 32-битную ширину шины данных, максимальную тактовую частоту 2,133 ГГц, производительность класса LPDDR4-4266, компактный 200-шариковый корпус VFBGA и широкий диапазон рабочих температур от -40°C до +105°C, оно подходит для автомобильной электроники, информационно-развлекательных систем, телематики, промышленных HMI, встраиваемых вычислений, сетевого оборудования, модулей граничного ИИ, интеллектуальных дисплеев и высокопроизводительных компактных электронных систем. MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D обеспечивает высокую пропускную способность и низкое энергопотребление памяти Micron LPDDR4 для требовательных встраиваемых и автомобильных системных разработок.

H5TQ4G63CFR-RDC — это микросхема памяти SK hynix 4Gb DDR3 SDRAM, предназначенная для встраиваемых систем, промышленных контроллеров, сетевого оборудования, мультимедийных устройств и приложений на базе процессоров. Микросхема имеет организацию 256M × 16 бит, объём памяти 512 МБ, тактовую частоту 800 МГц, скорость передачи данных 1600 Мбит/с, корпус FBGA-96, рабочее напряжение 1,5 В DDR3 и расширенные функции DDR3, включая динамическое ODT, калибровку ZQ, выравнивание записи, автоматический предзаряд и самообновление. SK hynix H5TQ4G63CFR-RDC обеспечивает надёжную высокоплотную память для процессоров ARM, систем на базе ПЛИС, встраиваемых платформ Linux, коммуникационного оборудования и промышленных вычислительных приложений.

ИС DRAM 2Гбит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L микросхема памяти 2Гбит параллельный 800 МГц 13.75 нс 96-FBGA (8x14)

DDR ОЗУ, 256MX16, CMOS, PBGA96, VFBGA-96

ИС DRAM 4 гигабит параллельная 96FBGA.SDRAM - DDR3L Микросхема памяти 4 гигабит параллельная 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

MT41K256M16TW-107:P — это 4 Гб чип памяти DDR3L SDRAM, произведенный компанией Micron Technology. Благодаря конфигурации 256 М × 16, скорости DDR3L-1866 / 933 МГц, низкому рабочему напряжению 1,35 В и компактному корпусу FBGA/TFBGA с 96 шариками он подходит для встраиваемых вычислительных платформ, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных систем, контроллеров хранения данных, потребительской электроники и долговечных коммерческих устройств. MT41K256M16TW-107:P обеспечивает надёжную производительность памяти Micron DDR3L в компактных, энергоэффективных и проверенных на практике электронных решениях.

The K4B4G1646E-BYK0 is a Samsung 4Gb DDR3L-1600 SDRAM memory IC featuring 512MB capacity, 256M × 16 organization, an x16 data bus, 800MHz clock frequency, 1600Mb/s per-pin transfer rate, and an 11-11-11 timing bin. It supports both 1.35V DDR3L and 1.5V DDR3 operation, includes eight memory banks, 8n prefetch, on-die termination, ZQ calibration and programmable latency functions, and is supplied in a compact 96-ball FBGA package measuring approximately 7.5 × 13.3mm. The K4B4G1646E-BYK0 is suitable for embedded computing, smart TVs, set-top boxes, networking equipment, communication processors, FPGA memory systems and legacy processor platforms requiring commercial-temperature 4Gb x16 DDR3L memory. Samsung now identifies its DDR3 family as discontinued, so lifecycle and supply-chain verification are recommended before procurement.

MT62F2G32D4DS-020 WT:F — это микросхема памяти LPDDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит производства Micron Technology. Благодаря архитектуре 2G × 32, высокоскоростному интерфейсу LPDDR5, сверхнизкому энергопотреблению, расширенным функциям управления питанием и компактному корпусу TFBGA с 315 шариками, она подходит для смартфонов, планшетов, автомобильных информационно-развлекательных систем, устройств граничных вычислений с ИИ, промышленных встраиваемых платформ и высокопроизводительных мобильных приложений. MT62F2G32D4DS-020 WT:F обеспечивает производительность LPDDR5 нового поколения от Micron, оптимизированную по пропускной способности, энергоэффективности и системной интеграции.

K4A4G165WF-BIWE — это 4-гигабитная микросхема памяти DDR4 SDRAM производства Samsung. Она имеет организацию 256 М × 16, 16-разрядную шину данных, работает в стандарте DDR4 с напряжением 1,2 В и выпускается в компактном корпусе FBGA-96 для поверхностного монтажа. Микросхема подходит для встраиваемых вычислительных платформ, промышленных контроллеров, сетевого оборудования, систем связи, интеллектуальных дисплеев, телевизионных приставок, модулей граничных вычислений и высокопроизводительных цифровых систем. K4A4G165WF-BIWE обеспечивает производительность Samsung DDR4 SDRAM в приложениях, требующих компактной, высокоскоростной и низковольтной системной памяти.

NT5AD256M16D4-HR — это микросхема оперативной памяти DDR4 SDRAM объёмом 4 Гбит от компании Nanya Technology, организованная по схеме 256 М × 16. Поддерживает максимальную скорость передачи данных до 2666 Мбит/с, работает от источника питания DDR4 напряжением 1,2 В и выпускается в компактном корпусе BGA/TFBGA с 96 шариковыми выводами. Благодаря таким функциям, как автоматический саморежим обновления, встроенный датчик температуры, выравнивание записи, динамическое внутреннее согласование импеданса, калибровка по выводу ZQ и поддержка контрольной суммы CRC, микросхема подходит для использования в встраиваемых системах, сетевом оборудовании, потребительской электронике, промышленных платах управления, шлюзах Интернета вещей, системах видеопроцессинга и других приложениях, требующих высокоскоростной внешней системной памяти.

* Микросхема памяти * Серия

ИС ДРАМ 8 Гбит параллельный 96FBGA.СДРАМ - DDR3L ИС памяти 8 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 8 гигабит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L память ИС 8 гигабит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 4 Гбит параллельный 78FBGA.SDRAM - DDR3L ИС памяти 4 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 78-FBGA (8x10.5)

MT48H32M16LFB4-6 IT:C is a 512Mb Mobile LPSDR SDRAM memory chip manufactured by Micron Technology. Featuring a 32M × 16 organization, x16 data bus, 166MHz-class clock speed, 5ns access time, compact 54-VFBGA 8mm × 8mm package, and -40°C to +85°C industrial temperature range, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, portable devices, networking equipment, medical instruments, and communication modules. The MT48H32M16LFB4-6 IT:C provides reliable low-power Micron mobile SDRAM performance for mature embedded and long-life electronic designs.

MT48LC16M16A2P-6A IT:G — это микросхема оперативной памяти SDR SDRAM объёмом 256 Мбит, выпускаемая компанией Micron Technology. Микросхема имеет организацию 16 М × 16, 16-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP с 54 выводами и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и приборов. MT48LC16M16A2P-6A IT:G обеспечивает надёжную производительность SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

MT48LC4M32B2P-6A IT:L — это 128 Мбит SDR SDRAM-микросхема памяти, производимая компанией Micron Technology. Данная микросхема имеет организацию 4 М × 32, 32-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP-86 и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и измерительных приборов. Микросхема MT48LC4M32B2P-6A IT:L обеспечивает надёжную работу SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

Автомобильный, AEC-Q100 Микросхема памяти Автомобильный, AEC-Q100 Серия

NT5AD512M16C4-JR is an 8Gb DDR4 SDRAM memory chip manufactured by Nanya Technology. Featuring a 512M × 16 organization, 3200Mbps DDR4-3200 data rate, 1.2V low-power operation, and compact 96-ball BGA package, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, networking equipment, consumer electronics, memory modules, and smart devices. The NT5AD512M16C4-JR delivers reliable high-speed Nanya DDR4 memory performance for compact, efficient, and cost-effective electronic designs.

NT5AD256M16E4-JR — это 4 Гб чип оперативной памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Nanya Technology. Благодаря организации 256 М × 16, скорости передачи данных DDR4-3200 (3200 Мбит/с), низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу BGA с 96 шариками он подходит для встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, модулей памяти и интеллектуальных устройств. NT5AD256M16E4-JR обеспечивает надёжную высокоскоростную работу памяти DDR4 от Nanya в компактных, эффективных и экономически выгодных электронных решениях.

KHBB84A03B-MC1J — это 24 ГБ устройства высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря широкому интерфейсу HBM, передовой многоуровневой архитектуре DRAM и высокоскоростным характеристикам HBM3E оно предназначено для ускорителей ИИ, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения, передовых специализированных интегральных схем вычислений и облачных платформ ускорения. KHBB84A03B-MC1J обеспечивает высокую пропускную способность памяти, компактную интеграцию и надежные технологии HBM компании Samsung для аппаратного обеспечения следующего поколения в области искусственного интеллекта и центров обработки данных.

KHBBC4B03C-MC1K — это 36 ГБ устройство высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря скорости передачи данных 9,2 Гбит/с, высокой ёмкости и многоуровневой архитектуре DRAM, а также современному интерфейсу HBM оно предназначено для ускорителей искусственного интеллекта, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения и специализированных интегральных схем (ASIC) для сложных вычислений. Модель KHBBC4B03C-MC1K обеспечивает исключительно высокую пропускную способность, компактную интеграцию и надёжную производительность памяти HBM3E от Samsung для платформ искусственного интеллекта и центров обработки данных следующего поколения.

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. Samsung DDR4 обеспечивает максимальную скорость с лучшей пропускной способностью и надежностью, используя меньше энергии.

Чип DRAM DDR3L SDRAM 2 Гбит 128Mx16 1.5 В F-Die 96-контактный FBGA.

K4U6E3S4AA-MGCL is a 16Gb LPDDR4X SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring x32 organization, 4266Mbps data rate, low-power LPDDR4X architecture, and a compact 200-ball FBGA package, it is suitable for smartphones, tablets, embedded computing platforms, AI edge devices, smart home products, IoT gateways, and consumer electronics. The K4U6E3S4AA-MGCL delivers high bandwidth, efficient power consumption, and reliable Samsung mobile DRAM performance for compact modern electronic systems.

K4B2G1646F-BCNB is a 2Gb DDR3 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 128M × 16 organization, DDR3-2133 performance, 1.5V operating voltage, and a compact 96-ball FBGA package, it is widely used in embedded computing platforms, industrial automation systems, networking equipment, medical devices, and consumer electronics. The K4B2G1646F-BCNB delivers reliable high-speed DDR3 memory performance, low system complexity, and excellent compatibility for a wide range of embedded and industrial applications.

K4F6E3S4HM-THCL — это 16 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема, произведенная компанией Samsung. Благодаря организации памяти 512 М × 32, производительности до 4266 Мбит/с, энергоэффективной архитектуре LPDDR4 и компактному корпусу FBGA с 200 шариками данная микросхема предназначена для применения в автомобильной электронике, устройствах искусственного интеллекта на периферии, промышленных встраиваемых системах, сетевом оборудовании, интеллектуальных камерах и передовых мобильных платформах. K4F6E3S4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность, низкое энергопотребление и надежную работу в приложениях следующего поколения для встраиваемых и интеллектуальных вычислительных систем.

K4A4G085WF-BCTD — это 4 Гб чип памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Samsung. Благодаря организации 512 М × 8, скорости передачи данных 2666 Мбит/с, низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу FBGA с 78 шариками он подходит для модулей памяти DDR4, настольных компьютеров, ноутбуков, встраиваемых систем, сетевого оборудования, промышленных устройств управления и потребительской электроники. K4A4G085WF-BCTD обеспечивает надёжную производительность DDR4 от Samsung для компактных и экономически эффективных решений в области проектирования памяти.

K3LK7K70BM-BGCP — это 64 Гб ОЗУ типа LPDDR5 SDRAM, произведенное компанией Samsung. Благодаря производительности LPDDR5-6400, организации x64 и компактному корпусу FBGA-496 данное устройство обеспечивает высокую пропускную способность и низкое энергопотребление для смартфонов, планшетов, устройств искусственного интеллекта на периферии сети, автомобильной электроники, встраиваемых вычислительных систем и мультимедийных платформ. Модель K3LK7K70BM-BGCP подходит для современных высокопроизводительных решений, требующих быстрой обработки данных, компактной интеграции и надежной технологии оперативной памяти LPDDR5 от Samsung.

K4AAG085WA-BIWE is a 16Gb DDR4 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 2G × 8 organization, 1.2V low-power operation, and compact FBGA-78 package, it is suitable for DDR4 memory modules, servers, desktop computers, laptops, networking equipment, industrial computers, and embedded systems. The K4AAG085WA-BIWE provides high-density DRAM performance, efficient power consumption, and reliable Samsung memory technology for modern computing platforms.

K4FBE3D4HM-THCL — это 32 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема памяти, произведенная компанией Samsung. Благодаря двухканальной архитектуре x16, скорости передачи данных 4266 Мбит/с, корпусу FBGA с 200 шариковыми выводами и расширенному температурному диапазону эксплуатации от −40 °C до +105 °C данное устройство предназначено для автомобильных систем мультимедиа, модулей систем адаптивного круиз-контроля и предупреждения столкновений (ADAS), встраиваемых вычислительных платформ, устройств компьютерного зрения на основе ИИ, промышленных терминалов и интеллектуальных мобильных электронных устройств. K4FBE3D4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность памяти, низкое энергопотребление, компактную интеграцию и надёжную производительность для современных автомобильных и встраиваемых приложений.

H5CG46MEBDX015N is a 16Gb DDR5 SDRAM memory chip manufactured by SK hynix. Featuring a 1G × 16 organization, 4800 MT/s data rate, and 1.1V low-power operation, it delivers high bandwidth and energy-efficient performance for servers, cloud computing infrastructure, AI systems, networking equipment, and high-performance embedded applications. Designed for next-generation computing platforms, the H5CG46MEBDX015N provides the speed, density, and reliability required by modern memory-intensive workloads.

Модуль памяти SK Hynix DDR5 объемом 16 Гб, x8, предназначен для обеспечения исключительной производительности и энергоэффективности в современных вычислительных приложениях. Благодаря высокой плотности — 16 ГБ — и частоте 4800 МГц этот синхронный модуль SDRAM идеально подходит для высокоскоростной обработки данных и многозадачности. Его компактный корпус FCBGA обеспечивает простоту интеграции в различные устройства и одновременно гарантирует оптимальные тепловые характеристики в широком диапазоне рабочих температур — от 0 °C до 85 °C.

W25Q16JVSSIQ — это последовательная NOR-Flash-память Winbond объёмом 16 Мбит (2 МБ) из семейства W25Q16JV SpiFlash®. Она поддерживает стандартный SPI, двухканальный SPI и четырёхканальный SPI с частотой тактового сигнала до 133 МГц, работает при напряжении от 2,7 В до 3,6 В и выпускается в корпусе SOIC с 8 выводами. Данная микросхема идеально подходит для хранения прошивок микроконтроллеров, BIOS и загрузочного кода, а также для применения в встраиваемых системах, модулях Интернета вещей (IoT), сетевых устройствах, промышленных платах управления, потребительской электронике и в качестве памяти конфигурации.

DRAM DDR4, 16 ГБ, 1 Гбит × 16, корпус FBGA, IT-класс ИС DRAM, 16 Гбит, параллельный интерфейс, корпус 96FBGA

K4ZAF325BC-SC20 — это высокопроизводительный графический чип памяти GDDR6 (VRAM), произведённый компанией Samsung. Этот конкретный компонент привлёк значительное внимание в сообществе энтузиастов оборудования, поскольку он используется в консоли Sony PlayStation 5 Pro (PS5 Pro) и некоторых высокопроизводительных видеокартах (например, Gigabyte GeForce RTX 4060 Ti AERO OC объёмом 16 ГБ).

1.06V~1.95V 16Gbit 1.866GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Memory (ICs) RoHS

Скорость нового уровня для мобильных устройств нового поколения

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. DDR4 от Samsung обеспечивает максимальную скорость, повышенную пропускную способность и надежность при меньшем энергопотреблении. DDR4, 8 Гб × 8, 1,2 В, 1,333 ГГц, диапазон рабочих температур от 0 °C до 85 °C, корпус FBGA-78

SDRAM DDR4 BGA-96(13x7.5) DDR SDRAM ROHS 8Gbit 1.14V~1.26V 1.333GHz DDR4 SDRAM BGA-96(13x7.5) Memory (ICs) RoHS

DDR5 ushers indata-centric innovation

DDR5 ushers indata-centric innovation

Versatile LPDRAM for mobile solutions