DRAM

K4A8G085WC-BCTD — это 8 Гбит ИС оперативной памяти DDR4 SDRAM от компании Samsung, организованная как 1 Г × 8 и поставляемая в корпусе FBGA на 78 шариков. Благодаря производительности класса DDR4-2666 и работе при напряжении 1,2 В она подходит для модулей оперативной памяти ПК, ноутбуков, промышленных компьютеров, сетевого оборудования, серверов, встраиваемых систем и других высокоскоростных применений оперативной памяти.

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D is a 32Gb LPDDR4 SDRAM device manufactured by Micron Technology. Featuring a 1G × 32 organization, 32-bit data bus width, 2.133GHz maximum clock frequency, LPDDR4-4266 class performance, compact 200-ball VFBGA package, and wide-temperature operation listed at -40°C to +105°C, it is suitable for automotive electronics, infotainment systems, telematics, industrial HMI, embedded computing, networking equipment, edge AI modules, smart displays, and high-performance compact electronic systems. The MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D provides high-bandwidth, low-power Micron LPDDR4 memory performance for demanding embedded and automotive-grade system designs.

MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C is a 128Gb LPDDR5 SDRAM memory device manufactured by Micron Technology. Featuring a 2G × 64 organization, x64 data bus, 441-ball TFBGA package, and high-speed LPDDR5 mobile DRAM architecture, it is designed for smartphones, tablets, automotive electronics, AI edge devices, embedded computing platforms, smart cameras, and multimedia systems. The MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C delivers high memory density, low power consumption, compact integration, and reliable Micron LPDDR5 performance for advanced electronic designs.

ИС DRAM 4 гигабит параллельная 96FBGA.SDRAM - DDR3L Микросхема памяти 4 гигабит параллельная 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

MT60B4G8AT-64B:B — это микросхема памяти Micron DDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит, организованная как 4 Г × 8 и поставляемая в корпусе VFBGA на 78/117 шариков. Предназначена для высокопроизводительных систем памяти DDR5-6400 и подходит для серверов, центров обработки данных, платформ искусственного интеллекта, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных вычислительных систем, систем хранения данных, встраиваемых высокопроизводительных плат и других применений, требующих внешней системной памяти высокой плотности и высокой скорости.

K4FBE3D4HB-KHCL02V — это мобильный DRAM-чип LPDDR4 компании Samsung объёмом 32 Гбит, организованный как 1 Г × 32 и поставляемый в компактном корпусе FBGA с 200 шариками. Поддерживая максимальную скорость передачи данных до 4266 Мбит/с и работу в энергосберегающем режиме LPDDR4, данный чип подходит для мобильных устройств, встраиваемых вычислительных платформ, автомобильных информационно-развлекательных систем, промышленных граничных систем, устройств искусственного интеллекта и интернета вещей (AIoT), сетевого оборудования, систем обработки видео, а также высокопроизводительных решений на основе SoC, требующих внешней памяти с высокой пропускной способностью.

NT5AD256M16D4-HR — это микросхема оперативной памяти DDR4 SDRAM объёмом 4 Гбит от компании Nanya Technology, организованная по схеме 256 М × 16. Поддерживает максимальную скорость передачи данных до 2666 Мбит/с, работает от источника питания DDR4 напряжением 1,2 В и выпускается в компактном корпусе BGA/TFBGA с 96 шариковыми выводами. Благодаря таким функциям, как автоматический саморежим обновления, встроенный датчик температуры, выравнивание записи, динамическое внутреннее согласование импеданса, калибровка по выводу ZQ и поддержка контрольной суммы CRC, микросхема подходит для использования в встраиваемых системах, сетевом оборудовании, потребительской электронике, промышленных платах управления, шлюзах Интернета вещей, системах видеопроцессинга и других приложениях, требующих высокоскоростной внешней системной памяти.

LPDDR4 16 Гбит x32 3733 Mbps 1.1 В.Память IC 16 Гбит Параллельный 1866 MHz

DDR4 DRAM, 1GX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78

* Микросхема памяти * Серия

ИС DRAM 2Гбит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L микросхема памяти 2Гбит параллельный 800 МГц 13.75 нс 96-FBGA (8x14)

MT41K256M16TW-107:P — это 4 Гб чип памяти DDR3L SDRAM, произведенный компанией Micron Technology. Благодаря конфигурации 256 М × 16, скорости DDR3L-1866 / 933 МГц, низкому рабочему напряжению 1,35 В и компактному корпусу FBGA/TFBGA с 96 шариками он подходит для встраиваемых вычислительных платформ, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных систем, контроллеров хранения данных, потребительской электроники и долговечных коммерческих устройств. MT41K256M16TW-107:P обеспечивает надёжную производительность памяти Micron DDR3L в компактных, энергоэффективных и проверенных на практике электронных решениях.

ИС ДРАМ 8 Гбит параллельный 96FBGA.СДРАМ - DDR3L ИС памяти 8 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 8 гигабит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L память ИС 8 гигабит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 4 Гбит параллельный 78FBGA.SDRAM - DDR3L ИС памяти 4 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 78-FBGA (8x10.5)

MT48H32M16LFB4-6 IT:C is a 512Mb Mobile LPSDR SDRAM memory chip manufactured by Micron Technology. Featuring a 32M × 16 organization, x16 data bus, 166MHz-class clock speed, 5ns access time, compact 54-VFBGA 8mm × 8mm package, and -40°C to +85°C industrial temperature range, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, portable devices, networking equipment, medical instruments, and communication modules. The MT48H32M16LFB4-6 IT:C provides reliable low-power Micron mobile SDRAM performance for mature embedded and long-life electronic designs.

MT48LC16M16A2P-6A IT:G — это микросхема оперативной памяти SDR SDRAM объёмом 256 Мбит, выпускаемая компанией Micron Technology. Микросхема имеет организацию 16 М × 16, 16-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP с 54 выводами и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и приборов. MT48LC16M16A2P-6A IT:G обеспечивает надёжную производительность SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

MT48LC4M32B2P-6A IT:L — это 128 Мбит SDR SDRAM-микросхема памяти, производимая компанией Micron Technology. Данная микросхема имеет организацию 4 М × 32, 32-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP-86 и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и измерительных приборов. Микросхема MT48LC4M32B2P-6A IT:L обеспечивает надёжную работу SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

Автомобильный, AEC-Q100 Микросхема памяти Автомобильный, AEC-Q100 Серия

NT5AD512M16C4-JR is an 8Gb DDR4 SDRAM memory chip manufactured by Nanya Technology. Featuring a 512M × 16 organization, 3200Mbps DDR4-3200 data rate, 1.2V low-power operation, and compact 96-ball BGA package, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, networking equipment, consumer electronics, memory modules, and smart devices. The NT5AD512M16C4-JR delivers reliable high-speed Nanya DDR4 memory performance for compact, efficient, and cost-effective electronic designs.

NT5AD256M16E4-JR — это 4 Гб чип оперативной памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Nanya Technology. Благодаря организации 256 М × 16, скорости передачи данных DDR4-3200 (3200 Мбит/с), низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу BGA с 96 шариками он подходит для встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, модулей памяти и интеллектуальных устройств. NT5AD256M16E4-JR обеспечивает надёжную высокоскоростную работу памяти DDR4 от Nanya в компактных, эффективных и экономически выгодных электронных решениях.

KHBB84A03B-MC1J — это 24 ГБ устройства высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря широкому интерфейсу HBM, передовой многоуровневой архитектуре DRAM и высокоскоростным характеристикам HBM3E оно предназначено для ускорителей ИИ, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения, передовых специализированных интегральных схем вычислений и облачных платформ ускорения. KHBB84A03B-MC1J обеспечивает высокую пропускную способность памяти, компактную интеграцию и надежные технологии HBM компании Samsung для аппаратного обеспечения следующего поколения в области искусственного интеллекта и центров обработки данных.

KHBBC4B03C-MC1K — это 36 ГБ устройство высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря скорости передачи данных 9,2 Гбит/с, высокой ёмкости и многоуровневой архитектуре DRAM, а также современному интерфейсу HBM оно предназначено для ускорителей искусственного интеллекта, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения и специализированных интегральных схем (ASIC) для сложных вычислений. Модель KHBBC4B03C-MC1K обеспечивает исключительно высокую пропускную способность, компактную интеграцию и надёжную производительность памяти HBM3E от Samsung для платформ искусственного интеллекта и центров обработки данных следующего поколения.

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. Samsung DDR4 обеспечивает максимальную скорость с лучшей пропускной способностью и надежностью, используя меньше энергии.

Чип DRAM DDR3L SDRAM 2 Гбит 128Mx16 1.5 В F-Die 96-контактный FBGA.

K4U6E3S4AA-MGCL is a 16Gb LPDDR4X SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring x32 organization, 4266Mbps data rate, low-power LPDDR4X architecture, and a compact 200-ball FBGA package, it is suitable for smartphones, tablets, embedded computing platforms, AI edge devices, smart home products, IoT gateways, and consumer electronics. The K4U6E3S4AA-MGCL delivers high bandwidth, efficient power consumption, and reliable Samsung mobile DRAM performance for compact modern electronic systems.

K4B2G1646F-BCNB is a 2Gb DDR3 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 128M × 16 organization, DDR3-2133 performance, 1.5V operating voltage, and a compact 96-ball FBGA package, it is widely used in embedded computing platforms, industrial automation systems, networking equipment, medical devices, and consumer electronics. The K4B2G1646F-BCNB delivers reliable high-speed DDR3 memory performance, low system complexity, and excellent compatibility for a wide range of embedded and industrial applications.

K4F6E3S4HM-THCL — это 16 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема, произведенная компанией Samsung. Благодаря организации памяти 512 М × 32, производительности до 4266 Мбит/с, энергоэффективной архитектуре LPDDR4 и компактному корпусу FBGA с 200 шариками данная микросхема предназначена для применения в автомобильной электронике, устройствах искусственного интеллекта на периферии, промышленных встраиваемых системах, сетевом оборудовании, интеллектуальных камерах и передовых мобильных платформах. K4F6E3S4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность, низкое энергопотребление и надежную работу в приложениях следующего поколения для встраиваемых и интеллектуальных вычислительных систем.

K4A4G085WF-BCTD — это 4 Гб чип памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Samsung. Благодаря организации 512 М × 8, скорости передачи данных 2666 Мбит/с, низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу FBGA с 78 шариками он подходит для модулей памяти DDR4, настольных компьютеров, ноутбуков, встраиваемых систем, сетевого оборудования, промышленных устройств управления и потребительской электроники. K4A4G085WF-BCTD обеспечивает надёжную производительность DDR4 от Samsung для компактных и экономически эффективных решений в области проектирования памяти.

K3LK7K70BM-BGCP — это 64 Гб ОЗУ типа LPDDR5 SDRAM, произведенное компанией Samsung. Благодаря производительности LPDDR5-6400, организации x64 и компактному корпусу FBGA-496 данное устройство обеспечивает высокую пропускную способность и низкое энергопотребление для смартфонов, планшетов, устройств искусственного интеллекта на периферии сети, автомобильной электроники, встраиваемых вычислительных систем и мультимедийных платформ. Модель K3LK7K70BM-BGCP подходит для современных высокопроизводительных решений, требующих быстрой обработки данных, компактной интеграции и надежной технологии оперативной памяти LPDDR5 от Samsung.

K4AAG085WA-BIWE is a 16Gb DDR4 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 2G × 8 organization, 1.2V low-power operation, and compact FBGA-78 package, it is suitable for DDR4 memory modules, servers, desktop computers, laptops, networking equipment, industrial computers, and embedded systems. The K4AAG085WA-BIWE provides high-density DRAM performance, efficient power consumption, and reliable Samsung memory technology for modern computing platforms.

K4FBE3D4HM-THCL — это 32 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема памяти, произведенная компанией Samsung. Благодаря двухканальной архитектуре x16, скорости передачи данных 4266 Мбит/с, корпусу FBGA с 200 шариковыми выводами и расширенному температурному диапазону эксплуатации от −40 °C до +105 °C данное устройство предназначено для автомобильных систем мультимедиа, модулей систем адаптивного круиз-контроля и предупреждения столкновений (ADAS), встраиваемых вычислительных платформ, устройств компьютерного зрения на основе ИИ, промышленных терминалов и интеллектуальных мобильных электронных устройств. K4FBE3D4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность памяти, низкое энергопотребление, компактную интеграцию и надёжную производительность для современных автомобильных и встраиваемых приложений.

H5CG46MEBDX015N is a 16Gb DDR5 SDRAM memory chip manufactured by SK hynix. Featuring a 1G × 16 organization, 4800 MT/s data rate, and 1.1V low-power operation, it delivers high bandwidth and energy-efficient performance for servers, cloud computing infrastructure, AI systems, networking equipment, and high-performance embedded applications. Designed for next-generation computing platforms, the H5CG46MEBDX015N provides the speed, density, and reliability required by modern memory-intensive workloads.

Модуль памяти SK Hynix DDR5 объемом 16 Гб, x8, предназначен для обеспечения исключительной производительности и энергоэффективности в современных вычислительных приложениях. Благодаря высокой плотности — 16 ГБ — и частоте 4800 МГц этот синхронный модуль SDRAM идеально подходит для высокоскоростной обработки данных и многозадачности. Его компактный корпус FCBGA обеспечивает простоту интеграции в различные устройства и одновременно гарантирует оптимальные тепловые характеристики в широком диапазоне рабочих температур — от 0 °C до 85 °C.

W25Q16JVSSIQ — это последовательная NOR-Flash-память Winbond объёмом 16 Мбит (2 МБ) из семейства W25Q16JV SpiFlash®. Она поддерживает стандартный SPI, двухканальный SPI и четырёхканальный SPI с частотой тактового сигнала до 133 МГц, работает при напряжении от 2,7 В до 3,6 В и выпускается в корпусе SOIC с 8 выводами. Данная микросхема идеально подходит для хранения прошивок микроконтроллеров, BIOS и загрузочного кода, а также для применения в встраиваемых системах, модулях Интернета вещей (IoT), сетевых устройствах, промышленных платах управления, потребительской электронике и в качестве памяти конфигурации.

DRAM DDR4, 16 ГБ, 1 Гбит × 16, корпус FBGA, IT-класс ИС DRAM, 16 Гбит, параллельный интерфейс, корпус 96FBGA

K4ZAF325BC-SC20 — это высокопроизводительный графический чип памяти GDDR6 (VRAM), произведённый компанией Samsung. Этот конкретный компонент привлёк значительное внимание в сообществе энтузиастов оборудования, поскольку он используется в консоли Sony PlayStation 5 Pro (PS5 Pro) и некоторых высокопроизводительных видеокартах (например, Gigabyte GeForce RTX 4060 Ti AERO OC объёмом 16 ГБ).

1.06V~1.95V 16Gbit 1.866GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Memory (ICs) RoHS

Скорость нового уровня для мобильных устройств нового поколения

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. DDR4 от Samsung обеспечивает максимальную скорость, повышенную пропускную способность и надежность при меньшем энергопотреблении. DDR4, 8 Гб × 8, 1,2 В, 1,333 ГГц, диапазон рабочих температур от 0 °C до 85 °C, корпус FBGA-78

SDRAM DDR4 BGA-96(13x7.5) DDR SDRAM ROHS 8Gbit 1.14V~1.26V 1.333GHz DDR4 SDRAM BGA-96(13x7.5) Memory (ICs) RoHS

DDR5 ushers indata-centric innovation

DDR5 ushers indata-centric innovation

Versatile LPDRAM for mobile solutions

441-TFBGA (14x14) SDRAM ROHS

441-TFBGA (14x14) DDR SDRAM ROHS

441-TFBGA (14x14) SDRAM ROHS

Память ИС

Микросхема памяти 14mm mm

Память ИС