Список RFQ
| Товар | Производитель | Статус наличия | Цена | Кол-во | Запрос | Описание |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 2.0 x 1.25 mm UV LED With Ceramic Substrate | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 2.0 x 1.25 mm UV LED With Ceramic Substrate | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 2.0 x 1.25 mm UV LED with ceramic substrate. | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | UV LED with ceramic substrate and ESD protection. | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 3.2x1.6mm infrared emitting diode. | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 3.2x1.6mm Infrared Emitting Diode | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | XZTNI53W 1.6X0.8mm INFRARED EMITTING DIODE | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 3.2x1.6mm INFRARED EMITTING DIODE | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 2.0 x 1.25 mm Infrared Emitting Diode | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 3.5x2.8 mm INFRARED EMITTING DIODE | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 1.6x1.5mm SMD CHIP LED LAMP | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | 5.0x5.0mm intelligent control RGB LED with integrated control circuit and cascade port. | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | T-1 (3mm) infrared emitting diode with radial/through hole package, low power consumption, and RoHS compliance. | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | T-1 (3mm) infrared emitting diode with radial/through hole package. | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | T-1 (3mm) infrared emitting diode with GaAlAs material and peak wavelength 850 nm. | |||
| SUNLED | Проверить цену | Запросить цену | T-1 3/4 (5mm) Infrared Emitting Diode | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, Surface Emitter Technology. As part of the SurfLightTM portfolio, the VSMY99445DS is an infrared, 940 nm emitting diode based on surface emitter technology with high radiant power and high speed, molded in low thermal resistance SMD package with lens. | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | Infrared, 850 nm emitting diode based on surface emitter technology with high radiant power and high speed, molded in low thermal resistance SMD package with lens. | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | The VSMY98545DS is an infrared, 850 nm emitting diode based on surface emitter technology with high radiant power and high speed, molded in low thermal resistance SMD package with lens. | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | The VSMY9854535 is an infrared, 850 nm emitting diode based on surface emitter technology with high radiant power and high speed, molded in low thermal resistance SMD package with lens. | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | High Power Infrared Emitting Diode, 810 nm, Surface Emitter Technology. Part of the SurfLightTM portfolio, this device is an infrared emitting diode with high radiant power and high speed, molded in a low thermal resistance SMD package with lens. | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | Infrared, 940 nm emitting diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, in a low profile 0805 surface mount (SMD) package. | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | High speed infrared emitting diode, 890 nm, surface emitter technology in a low profile 0805 SMD package. | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | High speed infrared emitting diode, 940 nm, based on surface emitter technology with high radiant intensity, high optical power and high speed. | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | Infrared, 850 nm emitting diode based on surface emitter technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, molded in a PLCC-2 package for surface mounting. | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | As part of the SurfLightTM portfolio, the VSMY385010 is an infrared, 850 nm emitting diode based on surface emitter technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | High Speed Infrared Emitting Diodes, 940 nm, Surface Emitter Technology | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | High speed infrared emitting diodes, 940 nm, surface emitter technology. | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | As part of the SurfLightTM portfolio, the VSMY2940 series are infrared, 940 nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, molded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | Infrared, 850 nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, molded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology. As part of the SurfLightTM portfolio, the VSMY2853 series are infrared, 850 nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, molded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). | |||
| Vishay | Проверить цену | Запросить цену | Infrared 940 nm emitting diode based on GaAlAs surface emitter technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, molded in clear, untinted 0805 plastic package for surface mounting. | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | VSMS3700 is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs technology, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | VSMS3700 is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs technology, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High speed infrared emitting diodes, 850 nm, GaAlAs DH technology. | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, GaAlAs, DH | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | VSMG2720 is an infrared, 830 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | VSMG2700 is an infrared, 830 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High speed infrared emitting diodes, 850 nm, GaAlAs, DH technology. | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, GaAlAs, DH | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | VSMF4720 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | Infrared emitting diode, 870 nm, GaAlAs double hetero technology, high radiant power and high speed, PLCC-2 package. | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | VSMF3710 is an infrared, 890 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High speed infrared emitting diode, 890 nm, GaAlAs DH technology, side looking, molded in clear untinted plastic package with lens for surface mounting. | |||
| Semiconductor Opto Division | Проверить цену | Запросить цену | High Speed Infrared Emitting Diodes, 890 nm, GaAlAs, DH |
