DRAM

MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C is a 128Gb LPDDR5 SDRAM memory device manufactured by Micron Technology. Featuring a 2G × 64 organization, x64 data bus, 441-ball TFBGA package, and high-speed LPDDR5 mobile DRAM architecture, it is designed for smartphones, tablets, automotive electronics, AI edge devices, embedded computing platforms, smart cameras, and multimedia systems. The MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C delivers high memory density, low power consumption, compact integration, and reliable Micron LPDDR5 performance for advanced electronic designs.

MT60B4G8AT-64B:B — это микросхема памяти Micron DDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит, организованная как 4 Г × 8 и поставляемая в корпусе VFBGA на 78/117 шариков. Предназначена для высокопроизводительных систем памяти DDR5-6400 и подходит для серверов, центров обработки данных, платформ искусственного интеллекта, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных вычислительных систем, систем хранения данных, встраиваемых высокопроизводительных плат и других применений, требующих внешней системной памяти высокой плотности и высокой скорости.

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D — это 32-гигабитное устройство LPDDR4 SDRAM производства Micron Technology. Имея организацию 1G × 32, 32-битную ширину шины данных, максимальную тактовую частоту 2,133 ГГц, производительность класса LPDDR4-4266, компактный 200-шариковый корпус VFBGA и широкий диапазон рабочих температур от -40°C до +105°C, оно подходит для автомобильной электроники, информационно-развлекательных систем, телематики, промышленных HMI, встраиваемых вычислений, сетевого оборудования, модулей граничного ИИ, интеллектуальных дисплеев и высокопроизводительных компактных электронных систем. MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D обеспечивает высокую пропускную способность и низкое энергопотребление памяти Micron LPDDR4 для требовательных встраиваемых и автомобильных системных разработок.

ИС DRAM 2Гбит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L микросхема памяти 2Гбит параллельный 800 МГц 13.75 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 4 гигабит параллельная 96FBGA.SDRAM - DDR3L Микросхема памяти 4 гигабит параллельная 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

MT41K256M16TW-107:P — это 4 Гб чип памяти DDR3L SDRAM, произведенный компанией Micron Technology. Благодаря конфигурации 256 М × 16, скорости DDR3L-1866 / 933 МГц, низкому рабочему напряжению 1,35 В и компактному корпусу FBGA/TFBGA с 96 шариками он подходит для встраиваемых вычислительных платформ, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных систем, контроллеров хранения данных, потребительской электроники и долговечных коммерческих устройств. MT41K256M16TW-107:P обеспечивает надёжную производительность памяти Micron DDR3L в компактных, энергоэффективных и проверенных на практике электронных решениях.

MT62F2G32D4DS-020 WT:F — это микросхема памяти LPDDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит производства Micron Technology. Благодаря архитектуре 2G × 32, высокоскоростному интерфейсу LPDDR5, сверхнизкому энергопотреблению, расширенным функциям управления питанием и компактному корпусу TFBGA с 315 шариками, она подходит для смартфонов, планшетов, автомобильных информационно-развлекательных систем, устройств граничных вычислений с ИИ, промышленных встраиваемых платформ и высокопроизводительных мобильных приложений. MT62F2G32D4DS-020 WT:F обеспечивает производительность LPDDR5 нового поколения от Micron, оптимизированную по пропускной способности, энергоэффективности и системной интеграции.

ИС ДРАМ 8 Гбит параллельный 96FBGA.СДРАМ - DDR3L ИС памяти 8 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 8 гигабит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L память ИС 8 гигабит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 4 Гбит параллельный 78FBGA.SDRAM - DDR3L ИС памяти 4 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 78-FBGA (8x10.5)

MT48H32M16LFB4-6 IT:C is a 512Mb Mobile LPSDR SDRAM memory chip manufactured by Micron Technology. Featuring a 32M × 16 organization, x16 data bus, 166MHz-class clock speed, 5ns access time, compact 54-VFBGA 8mm × 8mm package, and -40°C to +85°C industrial temperature range, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, portable devices, networking equipment, medical instruments, and communication modules. The MT48H32M16LFB4-6 IT:C provides reliable low-power Micron mobile SDRAM performance for mature embedded and long-life electronic designs.

MT48LC16M16A2P-6A IT:G — это микросхема оперативной памяти SDR SDRAM объёмом 256 Мбит, выпускаемая компанией Micron Technology. Микросхема имеет организацию 16 М × 16, 16-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP с 54 выводами и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и приборов. MT48LC16M16A2P-6A IT:G обеспечивает надёжную производительность SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

MT48LC4M32B2P-6A IT:L — это 128 Мбит SDR SDRAM-микросхема памяти, производимая компанией Micron Technology. Данная микросхема имеет организацию 4 М × 32, 32-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP-86 и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и измерительных приборов. Микросхема MT48LC4M32B2P-6A IT:L обеспечивает надёжную работу SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

Автомобильный, AEC-Q100 Микросхема памяти Автомобильный, AEC-Q100 Серия

DRAM DDR4, 16 ГБ, 1 Гбит × 16, корпус FBGA, IT-класс ИС DRAM, 16 Гбит, параллельный интерфейс, корпус 96FBGA

441-TFBGA (14x14) SDRAM ROHS

441-TFBGA (14x14) DDR SDRAM ROHS

441-TFBGA (14x14) SDRAM ROHS

Память ИС

Микросхема памяти 14mm mm

Память ИС

556-LFBGA (12.4x12.4) DDR SDRAM ROHS

LPDDR4 DRAM, 1536MX32, CMOS, PBGA200, VFBGA-200

Описание: LPDDR4 DRAM, 512MX32, CMOS, PBGA200, FBGA-200

DRAM быстрого доступа к странице, 8MX8, 50 нс, CMOS, PDSO32, 0.400 дюйма, Пластик, TSOP-32

EDO DRAM, 4MX16, 50нс, CMOS, PDSO50, 0.400 дюйма, пластик, TSOP-50

EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 дюйм, пластик, TSOP-50

Описание: Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

Память ИС 18.5мм мм

ДДР ДРАМ, 8MX36, CMOS, ПБГА144, УБГА-144

DDR ОЗУ, 16MX18, 0.25ns, CMOS, PBGA144, MICRO, BGA-144

Описание: DDR DRAM, 16MX18, 0.3ns, CMOS, PBGA144, без свинца, UBGA-144

Синхронная DRAM, 8M×32, 6 нс, КМОП, PDSO86, 0.400 дюйма, TSOP-86

Описание: Синхронная DRAM, 8MX16, 5.4 нс, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйма, без свинца, пластик, TSOP2-54

Синхронная DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйма, без свинца, пластик, TSOP2-54

Синхронная DRAM, 4М×32, 5.4 нс, CMOS, PDSO86, 0.400 дюйма, без свинца, пластик, TSOP2-86

Описание: Синхронная DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 дюйм, без свинца, пластик, TSOP2-86

Описание: Синхронная DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, (8 X 13) MM, Пластик, VFBGA-90

Синхронная DRAM, 4MX16, 6 нс, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйма, ПЛАСТИК, TSOP2-54

Описание: Синхронная DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйма, Пластик, TSOP2-54

Синхронная DRAM, 4MX16, 5.5нс, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйма, ПЛАСТИК, TSOP2-54

Синхронная DRAM, 4MX16, 5.4 нс, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйма, Соответствует RoHS, Пластик, TSOP2-54

Синхронная DRAM, 4MX16, 5.4 нс, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйм, Соответствует RoHS, Пластик, TSOP2-54

Синхронная DRAM, 4MX16, 5.4нс, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйма, БЕЗ СВИНЦА, ПЛАСТИК, TSOP2-54

Синхронная DRAM,

Синхронная DRAM, 32MX16, 5.4 нс, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйм, без свинца, пластик, TSOP2-54

Синхронная DRAM, 2MX32, 5.5 нс, CMOS, PDSO86, 0.400 дюйм, Пластик, TSOP-86

Описание: Синхронная DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 дюйма, Без свинца, Пластик, TSOP-86

Синхронная DRAM, 16MX32, CMOS, PBGA90

Синхронная DRAM, 16MX16, 5.4 нс, CMOS, PDSO54, 0.400 дюйма, Пластик, TSOP2-54