DRAM

K4A8G165WC-BCTD из SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC в наличии на AIchiplink，SDRAM DDR4 1.333GHz FBGA-96 DDR SDRAM ROHS

Samsung K4A8G085WC-BCTD — это чип памяти DDR4 SDRAM объёмом 8 Гбит, с организацией 1 Г × 8 бит, низковольтным питанием 1,2 В, поддержкой скорости передачи данных DDR4-3200 и компактным корпусом FBGA с 78 шариковыми выводами. Предназначен для встраиваемых вычислений, сетевого оборудования, промышленной автоматизации, устройств периферийного ИИ и высокопроизводительных электронных систем, этот чип памяти Samsung DDR4 обеспечивает высокую пропускную способность, эффективное энергопотребление и надёжную работу в передовых приложениях памяти.

LPDDR4 16 Гбит x32 3733 Mbps 1.1 В.Память IC 16 Гбит Параллельный 1866 MHz

K4FBE3D4HB-KHCL02V — это мобильный DRAM-чип LPDDR4 компании Samsung объёмом 32 Гбит, организованный как 1 Г × 32 и поставляемый в компактном корпусе FBGA с 200 шариками. Поддерживая максимальную скорость передачи данных до 4266 Мбит/с и работу в энергосберегающем режиме LPDDR4, данный чип подходит для мобильных устройств, встраиваемых вычислительных платформ, автомобильных информационно-развлекательных систем, промышленных граничных систем, устройств искусственного интеллекта и интернета вещей (AIoT), сетевого оборудования, систем обработки видео, а также высокопроизводительных решений на основе SoC, требующих внешней памяти с высокой пропускной способностью.

The K4B4G1646E-BYK0 is a Samsung 4Gb DDR3L-1600 SDRAM memory IC featuring 512MB capacity, 256M × 16 organization, an x16 data bus, 800MHz clock frequency, 1600Mb/s per-pin transfer rate, and an 11-11-11 timing bin. It supports both 1.35V DDR3L and 1.5V DDR3 operation, includes eight memory banks, 8n prefetch, on-die termination, ZQ calibration and programmable latency functions, and is supplied in a compact 96-ball FBGA package measuring approximately 7.5 × 13.3mm. The K4B4G1646E-BYK0 is suitable for embedded computing, smart TVs, set-top boxes, networking equipment, communication processors, FPGA memory systems and legacy processor platforms requiring commercial-temperature 4Gb x16 DDR3L memory. Samsung now identifies its DDR3 family as discontinued, so lifecycle and supply-chain verification are recommended before procurement.

K4A4G165WF-BIWE — это 4-гигабитная микросхема памяти DDR4 SDRAM производства Samsung. Она имеет организацию 256 М × 16, 16-разрядную шину данных, работает в стандарте DDR4 с напряжением 1,2 В и выпускается в компактном корпусе FBGA-96 для поверхностного монтажа. Микросхема подходит для встраиваемых вычислительных платформ, промышленных контроллеров, сетевого оборудования, систем связи, интеллектуальных дисплеев, телевизионных приставок, модулей граничных вычислений и высокопроизводительных цифровых систем. K4A4G165WF-BIWE обеспечивает производительность Samsung DDR4 SDRAM в приложениях, требующих компактной, высокоскоростной и низковольтной системной памяти.

KHBB84A03B-MC1J — это 24 ГБ устройства высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря широкому интерфейсу HBM, передовой многоуровневой архитектуре DRAM и высокоскоростным характеристикам HBM3E оно предназначено для ускорителей ИИ, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения, передовых специализированных интегральных схем вычислений и облачных платформ ускорения. KHBB84A03B-MC1J обеспечивает высокую пропускную способность памяти, компактную интеграцию и надежные технологии HBM компании Samsung для аппаратного обеспечения следующего поколения в области искусственного интеллекта и центров обработки данных.

KHBBC4B03C-MC1K — это 36 ГБ устройство высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря скорости передачи данных 9,2 Гбит/с, высокой ёмкости и многоуровневой архитектуре DRAM, а также современному интерфейсу HBM оно предназначено для ускорителей искусственного интеллекта, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения и специализированных интегральных схем (ASIC) для сложных вычислений. Модель KHBBC4B03C-MC1K обеспечивает исключительно высокую пропускную способность, компактную интеграцию и надёжную производительность памяти HBM3E от Samsung для платформ искусственного интеллекта и центров обработки данных следующего поколения.

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. Samsung DDR4 обеспечивает максимальную скорость с лучшей пропускной способностью и надежностью, используя меньше энергии.

Чип DRAM DDR3L SDRAM 2 Гбит 128Mx16 1.5 В F-Die 96-контактный FBGA.

K4U6E3S4AA-MGCL is a 16Gb LPDDR4X SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring x32 organization, 4266Mbps data rate, low-power LPDDR4X architecture, and a compact 200-ball FBGA package, it is suitable for smartphones, tablets, embedded computing platforms, AI edge devices, smart home products, IoT gateways, and consumer electronics. The K4U6E3S4AA-MGCL delivers high bandwidth, efficient power consumption, and reliable Samsung mobile DRAM performance for compact modern electronic systems.

K4B2G1646F-BCNB is a 2Gb DDR3 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 128M × 16 organization, DDR3-2133 performance, 1.5V operating voltage, and a compact 96-ball FBGA package, it is widely used in embedded computing platforms, industrial automation systems, networking equipment, medical devices, and consumer electronics. The K4B2G1646F-BCNB delivers reliable high-speed DDR3 memory performance, low system complexity, and excellent compatibility for a wide range of embedded and industrial applications.

K4F6E3S4HM-THCL — это 16 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема, произведенная компанией Samsung. Благодаря организации памяти 512 М × 32, производительности до 4266 Мбит/с, энергоэффективной архитектуре LPDDR4 и компактному корпусу FBGA с 200 шариками данная микросхема предназначена для применения в автомобильной электронике, устройствах искусственного интеллекта на периферии, промышленных встраиваемых системах, сетевом оборудовании, интеллектуальных камерах и передовых мобильных платформах. K4F6E3S4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность, низкое энергопотребление и надежную работу в приложениях следующего поколения для встраиваемых и интеллектуальных вычислительных систем.

K4A4G085WF-BCTD — это 4 Гб чип памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Samsung. Благодаря организации 512 М × 8, скорости передачи данных 2666 Мбит/с, низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу FBGA с 78 шариками он подходит для модулей памяти DDR4, настольных компьютеров, ноутбуков, встраиваемых систем, сетевого оборудования, промышленных устройств управления и потребительской электроники. K4A4G085WF-BCTD обеспечивает надёжную производительность DDR4 от Samsung для компактных и экономически эффективных решений в области проектирования памяти.

K3LK7K70BM-BGCP — это 64 Гб ОЗУ типа LPDDR5 SDRAM, произведенное компанией Samsung. Благодаря производительности LPDDR5-6400, организации x64 и компактному корпусу FBGA-496 данное устройство обеспечивает высокую пропускную способность и низкое энергопотребление для смартфонов, планшетов, устройств искусственного интеллекта на периферии сети, автомобильной электроники, встраиваемых вычислительных систем и мультимедийных платформ. Модель K3LK7K70BM-BGCP подходит для современных высокопроизводительных решений, требующих быстрой обработки данных, компактной интеграции и надежной технологии оперативной памяти LPDDR5 от Samsung.

K4AAG085WA-BIWE is a 16Gb DDR4 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 2G × 8 organization, 1.2V low-power operation, and compact FBGA-78 package, it is suitable for DDR4 memory modules, servers, desktop computers, laptops, networking equipment, industrial computers, and embedded systems. The K4AAG085WA-BIWE provides high-density DRAM performance, efficient power consumption, and reliable Samsung memory technology for modern computing platforms.

K4FBE3D4HM-THCL — это 32 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема памяти, произведенная компанией Samsung. Благодаря двухканальной архитектуре x16, скорости передачи данных 4266 Мбит/с, корпусу FBGA с 200 шариковыми выводами и расширенному температурному диапазону эксплуатации от −40 °C до +105 °C данное устройство предназначено для автомобильных систем мультимедиа, модулей систем адаптивного круиз-контроля и предупреждения столкновений (ADAS), встраиваемых вычислительных платформ, устройств компьютерного зрения на основе ИИ, промышленных терминалов и интеллектуальных мобильных электронных устройств. K4FBE3D4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность памяти, низкое энергопотребление, компактную интеграцию и надёжную производительность для современных автомобильных и встраиваемых приложений.

W25Q16JVSSIQ — это последовательная NOR-Flash-память Winbond объёмом 16 Мбит (2 МБ) из семейства W25Q16JV SpiFlash®. Она поддерживает стандартный SPI, двухканальный SPI и четырёхканальный SPI с частотой тактового сигнала до 133 МГц, работает при напряжении от 2,7 В до 3,6 В и выпускается в корпусе SOIC с 8 выводами. Данная микросхема идеально подходит для хранения прошивок микроконтроллеров, BIOS и загрузочного кода, а также для применения в встраиваемых системах, модулях Интернета вещей (IoT), сетевых устройствах, промышленных платах управления, потребительской электронике и в качестве памяти конфигурации.

K4ZAF325BC-SC20 — это высокопроизводительный графический чип памяти GDDR6 (VRAM), произведённый компанией Samsung. Этот конкретный компонент привлёк значительное внимание в сообществе энтузиастов оборудования, поскольку он используется в консоли Sony PlayStation 5 Pro (PS5 Pro) и некоторых высокопроизводительных видеокартах (например, Gigabyte GeForce RTX 4060 Ti AERO OC объёмом 16 ГБ).

Скорость нового уровня для мобильных устройств нового поколения

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. DDR4 от Samsung обеспечивает максимальную скорость, повышенную пропускную способность и надежность при меньшем энергопотреблении. DDR4, 8 Гб × 8, 1,2 В, 1,333 ГГц, диапазон рабочих температур от 0 °C до 85 °C, корпус FBGA-78

DDR5 ushers indata-centric innovation

DDR5 ushers indata-centric innovation

Versatile LPDRAM for mobile solutions

Broaden the horizons of your mobile devices

Next-level speed for next-gen mobile

Versatile LPDRAM for mobile solutions

Exceptional speed, high reliability, low energy consumption

Exceptional speed, high reliability, low energy consumption

FBGA-180 Memory (ICs) ROHS

Exceptional speed, high reliability, low energy consumption

Versatile LPDRAM for mobile solutions

Registered DIMM

Registered DIMM

Registered DIMM

Registered DIMM

Registered DIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM

Error correction code UDIMM / SODIMM