Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    Служба поддержки:
    +86 755-2845-3125
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    [email protected]
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. 2N6790 MICROSEMI

    2N6790 [MICROSEMI]

    2N6790
    2N6790

    Номер детали:

    2N6790

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    MICROSEMI

    Описание:

    Описание: Полевой транзистор мощности, 3.5А I(D), 200В, 0.85 Ом, 1-элементный, N-канальный, Кремниевый, Металл-окисел-полупроводниковый полевой транзистор, TO-205AF, Герметично запечатанный, Ранее TO-39, 3 вывода

    Статус RoHS:

    FAQ по продукту

    1. Доступен ли 2N6790 для RFQ?

    Да. 2N6790 от MICROSEMI доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для 2N6790 нет фиксированной цены?

    Цена на 2N6790 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у 2N6790?

    2N6790 — это Транзисторы MICROSEMI с такими характеристиками: Zero Gate Voltage Drain Current 160V 125C Max: 1000µA и Zero Gate Voltage Drain Current 200V Max: 250µA. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по 2N6790?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить 2N6790?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для 2N6790?

    Да. Если 2N6790 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции MICROSEMI в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    2N6790

    Производитель:

    MICROSEMI

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    Рекомендуемый товар

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    2N6788 ID1
    6.0A
    2N6788 ID2
    3.5A
    2N6788 IDM
    24A (pk)
    2N6788 IS
    6.0A
    2N6788 Qg(on)
    18.0 nC
    2N6788 Qgd
    9.0 nC
    2N6788 Qgs
    4.0 nC
    2N6788 RDS(on)1
    0.30Ω
    2N6788 RDS(on)2
    0.35Ω
    2N6788 RDS(on)3
    0.54Ω
    2N6788 Td(off)
    40 ns
    2N6788 Td(on)
    40 ns
    2N6788 Tf
    70 ns
    2N6788 Tr
    70 ns
    2N6788 Trr
    240 ns
    2N6788 V(BR)DSS
    100V
    2N6788 VDG
    100V
    2N6788 VDS
    100V
    2N6788 VSD
    1.8V
    2N6790 ID1
    3.5A
    2N6790 ID2
    2.25A
    2N6790 IDM
    14A (pk)
    2N6790 IS
    3.5A
    2N6790 Qg(on)
    14.3 nC
    2N6790 Qgd
    9.0 nC
    2N6790 Qgs
    3.0 nC
    2N6790 RDS(on)1
    0.80Ω
    2N6790 RDS(on)2
    0.85Ω
    2N6790 RDS(on)3
    1.50Ω
    2N6790 Td(off)
    50 ns
    2N6790 Td(on)
    40 ns
    2N6790 Tf
    50 ns
    2N6790 Tr
    50 ns
    2N6790 Trr
    400 ns
    2N6790 V(BR)DSS
    200V
    2N6790 VDG
    200V
    2N6790 VDS
    200V
    2N6790 VSD
    1.5V
    Body Diode Continuous Current Max
    3.5A
    Body Diode Pulsed Current Max
    14A
    Breakdown Voltage
    200V
    Continuous Drain Current
    3.5A
    Continuous Drain Current (100C)
    2.25A
    Continuous Drain Current (25C)
    3.5A
    Continuous Drain Current 100C Max
    2.25A
    Diode Forward Voltage
    1.5V
    Drain Source On Resistance
    0.92Ω
    Drain Source On Voltage Max
    2.8V
    Drain Source Voltage
    200V
    Fall Time
    50 ns
    Forward Transconductance Max
    4.5 S
    Gate Drain Charge
    9.0nC
    Gate Source Charge
    3.0nC
    Gate Source Leakage Current Max
    100 nA
    Gate Source Voltage
    ±20V
    Gate Threshold Voltage
    2V ~ 4V
    Input Capacitance
    600pF
    Max Continuous Drain Current
    3.5A
    Max Drain Source Voltage
    200V
    Max Power Dissipation
    20W
    Operating Temperature
    -55°C ~ 150°C
    Output Capacitance
    300pF
    Package
    TO-205AF (formerly TO-39)
    Power Dissipation
    20W
    Pulsed Drain Current
    14A
    Pulsed Drain Current Max
    14A
    Rds On
    0.800Ω
    Rds On 125C Max
    1.5Ω
    Reverse Recovered Charge Max
    2.3 µC
    Reverse Recovery Charge
    4.3µC
    Reverse Recovery Time
    350 ns
    Reverse Transfer Capacitance
    30pF
    Reverse Transfer Capacitance Max
    80pF
    Rise Time
    50 ns
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    Supply Voltage
    200V
    Terminal
    Tin/lead solder dip nickel plate or RoHS compliant pure tin plate (commercial grade only)
    Thermal Resistance Junction Case
    6.25°C/W
    Thermal Resistance Junction To Ambient
    175°C/W
    Thermal Resistance Junction To Case
    6.25°C/W
    Total Gate Charge
    14.3nC
    Turn Off Delay Time
    50ns
    Turn Off Delay Time Max
    50 ns
    Turn On Delay Time
    40 ns
    Weight
    Approximately 1.064 grams
    Zero Gate Voltage Drain Current 160V 125C Max
    1000µA
    Zero Gate Voltage Drain Current 200V Max
    250µA

    Детали продукта

    Обзор 2N6790


    Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 3.5A, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор.Импульсный стоковый ток составляет максимальный номинальный пиковый стоковый ток 14A.Нормальная работа DS требует поддержания напряжения пробоя выше 200V.Этот транзистор требует напряжение сток-исток (Vdss) 200V.Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10V вольт (10V).

    Особенности 2N6790


    непрерывный стоковый ток (ID) 3.5A
    на основе его номинального пикового стокового тока 14A.
    напряжение сток-исток 200V (Vdss)


    Применения 2N6790


    Существует множество применений Microsemi Corporation
    2N6790 одного транзистора MOSFET.

    • Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
    • Микро солнечный инвертор
    • DC/DC преобразователи
    • Электроинструменты
    • Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
    • Синхронная выпрямление
    • Цепь защиты аккумулятора
    • Телеком 1 серверные источники питания
    • Промышленные источники питания
    • Стадии PFC, стадии твердого переключения PWM и резонансное переключение

    Ключевые особенности

    • 3.5A, 200V
    • rDS(ON) = 0.800Ω
    • SOA is Power Dissipation Limited
    • Nanosecond Switching Speeds
    • Linear Transfer Characteristics
    • High Input Impedance
    • Majority Carrier Device

    Сценарии применения

    • switching regulators
    • switching converters
    • motor drivers
    • relay drivers
    • drivers for high power bipolar switching transistors

    Документы

    Datasheets:

    2N6790 Datasheet
    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты
    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • 2N6678
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • JANTXV2N6766
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5238B (DO-35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 2N7002E-Q1-H
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5916C G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N4736 G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • APT55M65JFLL
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • 1N5531B (DO35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5939APE3/TR12
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5927D G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    1N5922C G

    1N5922C G

    MICROSEMI

    1N5936A G

    1N5936A G

    MICROSEMI

    1N4760 G

    1N4760 G

    MICROSEMI

    APTC90DSK12T1G

    APTC90DSK12T1G

    MICROSEMI

    1.5KE75CAE3/TR13

    1.5KE75CAE3/TR13

    MICROSEMI

    APTC80H29T1G

    APTC80H29T1G

    MICROSEMI

    1N4753A G

    1N4753A G

    MICROSEMI

    1N5811 (CAT3)

    1N5811 (CAT3)

    MICROSEMI

    APT6M100K

    APT6M100K

    MICROSEMI

    1N4693 (DO35)

    1N4693 (DO35)

    MICROSEMI

    Diodes & Rectifiers(136426)Discrete & Power Modules(14567)Thyristors(12548)

    Нет недавно просмотренных товаров

    BEST SELL
    BQ27441DRZR-G1AG4

    BQ27441DRZR-G1AG4

    Texas Instruments

    BEST SELL
    ISL8215MIRZ

    ISL8215MIRZ

    RENESAS

    BEST SELL
    MTFC2GMDEA-0M WT A

    MTFC2GMDEA-0M WT A

    Micron

    BEST SELL
    ADF4351BCPZ

    ADF4351BCPZ

    Analog Devices

    BEST SELL
    H9TQ64A8GTDCUR-KUM

    H9TQ64A8GTDCUR-KUM

    SK HYNIX

    BEST SELL
    MT41K512M16VRP-107 IT:P

    MT41K512M16VRP-107 IT:P

    Micron

    BEST SELL
    MCX75510AAS-NEAT

    MCX75510AAS-NEAT

    NVIDIA

    BEST SELL
    K4A8G085WC-BIWE

    K4A8G085WC-BIWE

    SAMSUNG

    BEST SELL
    K4A4G085WF-BCTD

    K4A4G085WF-BCTD

    SAMSUNG

    BEST SELL
    PMEG4010CEGW-QJ

    PMEG4010CEGW-QJ

    NEXPERIA