APT5010JVRU2 Обзор

Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, возникают явления пробоя и ток течет. Это называется лавинным пробоем, и энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 2500 мДж. Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 7410 пФ при 25 В. Ток стока — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и непрерывный ток стока (ID) этого устройства составляет 44 А. Напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID, при VGS=500 В. И это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 500 В. Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и его время задержки выключения составляет 54 нс. Время задержки включения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и его время задержки включения составляет 18 нс. Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, падающее на клеммах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 30 В. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.

APT5010JVRU2 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 2500 мДж
непрерывный ток стока (ID) 44 А
напряжение пробоя сток-исток 500 В
время задержки выключения 54 нс

APT5010JVRU2 Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET от Microsemi Corporation
APT5010JVRU2.

• LCD/LED TV
• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• AC-DC источник питания
• Синхронный выпрямитель для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертер
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты