APT60M80JVR [MICROSEMI]

Обзор APT60M80JVR

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия составляет 3200 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 14500 пФ при 25 В, но параметр входной емкости CI измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом.Непрерывный ток стока для этого устройства составляет 55 А.Ток стока относится к способности устройства проводить непрерывный ток.Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед началом проводимости тока стока, которое составляет 73 нс.Максимальный импульсный ток стока составляет 220 А, что также является его максимальным номинальным пиковым током стока.Перед началом проводимости тока стока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 15 нс.Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его клеммами затвора и истока, которое составляет 30 В.Это устройство не использует напряжение привода (10 В) для снижения общего энергопотребления.

Особенности APT60M80JVR

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 3200 мДж
непрерывный ток стока (ID) 55 А
время задержки выключения составляет 73 нс
на основе его номинального пикового тока стока 220 А.

Применения APT60M80JVR

Существует множество применений транзисторов MOSFET от Microsemi Corporation
APT60M80JVR для одиночных транзисторов MOSFET.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель
• Схема защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникаций 1 Сервер
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ, например, для PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP TV,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
• DC-to-DC преобразователи