APTM100A23STG [Microchip]

Name: APTM100A23STG
Brand: Microchip
SKU: APTM100A23STG
Availability: InStock

Номер детали:

APTM100A23STG

Категория:

Источники питания

Производитель:

Microchip

Описание:

Phase leg MOSFET power module with 1000V breakdown voltage, 230mΩ typical RDSon, and 36A continuous drain current at Tc=25°C.

Статус RoHS:

Даташит:

Статус наличия:

Доступно для RFQ

Цена:

Запросить оптовую цену

Ответ на запрос:

В течение 24 часов

Доставка:

Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

Спецификация

Тип

Параметр

Isolation Voltage

4000V

Storage Temperature

-40°C ~ 125°C

RoHS Status

RoHS Compliant

RoHS Status

RoHS Compliant

Package

SP4

Avalanche Current

18A

Avalanche Energy Repetitive

50 mJ

Avalanche Energy Single Pulse

2500 mJ

Breakdown Voltage

1000V

Continuous Drain Current

36A

Diode Forward Current

90A

Diode Forward Voltage

2.3V

Diode Forward Voltage Min

1.9V

Diode Peak Reverse Voltage

1000V

Diode Reverse Leakage Current

500µA

Diode Reverse Recovery Charge 125C

7050 nC

Diode Reverse Recovery Charge 25C

2010 nC

Diode Reverse Recovery Time 125C

390 ns

Diode Reverse Recovery Time 25C

290 ns

Diode Thermal Resistance

0.45°C/W

Fall Time

35 ns

Gate Drain Charge

194 nC

Gate Source Charge

52 nC

Gate Source Leakage Current

±150 nA

Gate Source Voltage

±30V

Gate Threshold Voltage

3V ~ 5V

Input Capacitance

8700pF

Mounting Torque

2.5 N.m ~ 4.7 N.m

Ntc Beta 25 85

3952 K

Ntc Beta Tolerance

Ntc Resistance 25C

50kΩ

Ntc Tolerance

Operating Case Temperature

-40°C ~ 100°C

Operating Junction Temperature

-40°C ~ 150°C

Output Capacitance

1430pF

Package Weight

160 g

Parallel Diode Forward Current

80A

Parallel Diode Forward Voltage Max

3.5V

Parallel Diode Forward Voltage Min

2.5V

Parallel Diode Reverse Recovery Charge 125C

3300 nC

Parallel Diode Reverse Recovery Charge 25C

830 nC

Parallel Diode Reverse Recovery Time 125C

315 ns

Parallel Diode Reverse Recovery Time 25C

250 ns

Parallel Diode Thermal Resistance

0.65°C/W

Power Dissipation

694W

Pulsed Drain Current

144A

Rds On

270mΩ

Reverse Transfer Capacitance

240pF

Rise Time

12 ns

Thermal Resistance Junction To Case

0.18°C/W

Total Gate Charge

308 nC

Turn Off Delay Time

121 ns

Turn Off Switching Energy 125C

902 µJ

Turn Off Switching Energy 25C

760 µJ

Turn On Delay Time

10 ns

Turn On Switching Energy 125C

2092 µJ

Turn On Switching Energy 25C

1278 µJ

Zero Gate Voltage Drain Current

200µA

Детали продукта

Power module featuring Power MOS 7® MOSFETs with low RDSon, low input/Miller capacitance, low gate charge, and avalanche energy rating. Includes Kelvin source for easy drive, very low stray inductance, symmetrical design, internal NTC thermistor, and high integration. Benefits include outstanding high-frequency performance, direct heatsink mounting (isolated package), low thermal resistance, solderable terminals, low profile, and RoHS compliance.

Ключевые особенности

Power MOS 7® MOSFETs, Low RDSon, Low input and Miller capacitance, Low gate charge, Avalanche energy rated, Very rugged, Kelvin source for easy drive, Very low stray inductance, Symmetrical design, Lead frames for power connections, Internal thermistor for temperature monitoring, High level of integration, Outstanding performance at high frequency operation, Direct mounting to heatsink (isolated package), Low junction to case thermal resistance, Solderable terminals for power and signal, Low profile, RoHS Compliant

Сценарии применения

Motor control
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies

Документы

Datasheets:

APTM100A23STG Power Products Catalog

FAQ по продукту

1. Доступен ли APTM100A23STG для RFQ?

Да. APTM100A23STG от Microchip доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

2. Почему для APTM100A23STG нет фиксированной цены?

Цена на APTM100A23STG может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у APTM100A23STG?

APTM100A23STG — это Источники питания Microchip с такими характеристиками: Parallel Diode Reverse Recovery Charge 125C: 3300 nC и Parallel Diode Reverse Recovery Charge 25C: 830 nC. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по APTM100A23STG?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить APTM100A23STG?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

6. Можете ли вы предложить альтернативы для APTM100A23STG?

Да. Если APTM100A23STG недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции Microchip в категории Источники питания или совместимые альтернативы.

Запрос

Номер детали:

APTM100A23STG

Производитель:

Microchip

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.