APTM100UM45FAG [Microchip]

Обзор APTM100UM45FAG

Существует лавинный пробой, при котором энергия подается на MOSFET, чтобы вызвать его пробой, и эта энергия называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 3200 мДж. Операционные усилители с заземленным входом имеют фиксированный параметр входной емкости, CI, и это устройство имеет максимальную входную емкость 42700 пФ @ 25В. Устройства могут проводить максимальный непрерывный ток 3 ампера в области стока, поэтому непрерывный ток стока (ID) для этого устройства составляет 215А. Это [140 нс], потому что требуется время для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока. Время задержки включения 18 нс указывает время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 30В. Для работы этого транзистора потребуется напряжение сток-исток 1000В (Vdss). Устройство такого типа снижает общее энергопотребление при использовании напряжения привода (10В).

Особенности APTM100UM45FAG

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 3200 мДж
непрерывный ток стока (ID) 215А
время задержки выключения 140 нс
напряжение сток-исток 1000В (Vdss)

Применение APTM100UM45FAG

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET от Microsemi Corporation
APTM100UM45FAG.

• Синхронное выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронное выпрямление
• Цепь защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникационных серверов 1
• Промышленные источники питания