APTM50DAM17G [Microchip]

APTM50DAM17G Overview

Одиночный транзистор MOSFET называется 'лавинным пробоем', и лавинная энергия применяется к MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет рейтинг 3000 мДж. При любом входе на земле параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными клеммами операционного усилителя. У этого устройства максимальная входная емкость 28000 пФ @ 25 В. Ток стока устройства - это его максимальный непрерывный ток, и у этого устройства непрерывный ток стока (ID) 180 А. Время задержки выключения - это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и оно составляет 75 нс. Пиковый ток стока для этого устройства 720 А, что является его максимальным импульсным током стока. Зарядка входной емкости занимает время перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки включения 21 нс. Одиночный транзистор MOSFET - это напряжение, падающее на клемме затвор-исток транзистора FET, которое называется напряжением затвор-исток, VGS. Для поддержания нормальной работы напряжение пробоя сток-исток должно быть выше 500 В. Одиночному транзистору MOSFET необходимо иметь напряжение сток-исток (Vdss) 500 В. Использование напряжения привода (10 В) снижает общее потребление мощности этого устройства.

APTM50DAM17G Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 3000 мДж
непрерывный ток стока (ID) 180 А
время задержки выключения 75 нс
на основе его номинального пикового тока стока 720 А.
напряжение сток-исток 500 В (Vdss)

APTM50DAM17G Applications

Существует множество приложений корпорации Microsemi
APTM50DAM17G одиночных транзисторов MOSFET.

• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для сервера ATX 1 I телекоммуникационного БП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление