Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    Служба поддержки:
    +86 755-2845-3125
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    [email protected]
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. APTM50DHM35G MICROSEMI

    APTM50DHM35G [MICROSEMI]

    APTM50DHM35G
    APTM50DHM35G

    Номер детали:

    APTM50DHM35G

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    MICROSEMI

    Описание:

    Asymmetrical bridge DSS MOSFET power module with 500V breakdown voltage, 35mΩ typ Rds(on), and 99A continuous drain current.

    Статус RoHS:

    FAQ по продукту

    1. Доступен ли APTM50DHM35G для RFQ?

    Да. APTM50DHM35G от MICROSEMI доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для APTM50DHM35G нет фиксированной цены?

    Цена на APTM50DHM35G может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у APTM50DHM35G?

    APTM50DHM35G — это Транзисторы MICROSEMI с такими характеристиками: Transistor Junction To Case Thermal Resistance: 0.16°C/W и Diode Junction To Case Thermal Resistance: 0.6°C/W. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по APTM50DHM35G?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить APTM50DHM35G?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для APTM50DHM35G?

    Да. Если APTM50DHM35G недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции MICROSEMI в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    APTM50DHM35G

    Производитель:

    MICROSEMI

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    Рекомендуемый товар

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    Gate Source Voltage
    ±30V
    Continuous Drain Current (25C)
    99A
    Pulsed Drain Current
    396A
    Gate Threshold Voltage
    3V ~ 5V
    Input Capacitance
    14nF
    Output Capacitance
    2.8nF
    Total Gate Charge
    280 nC
    Reverse Transfer Capacitance
    0.2nF
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    Storage Temperature
    -40°C ~ 125°C
    Avalanche Current
    51A
    Continuous Drain Current 80C
    74A
    Diode Dc Forward Current 60C
    100A
    Diode Forward Voltage 100A
    1.6V
    Diode Forward Voltage 100A 125C
    1.4V
    Diode Forward Voltage 200A
    1.9V
    Diode Junction To Case Thermal Resistance
    0.6°C/W
    Diode Peak Reverse Voltage
    600V
    Diode Reverse Leakage 125C
    500µA
    Diode Reverse Leakage 25C
    250µA
    Diode Reverse Recovery Charge 125C
    1450 nC
    Diode Reverse Recovery Charge 25C
    390 nC
    Diode Reverse Recovery Time 125C
    220 ns
    Diode Reverse Recovery Time 25C
    180 ns
    Drain Source Breakdown Voltage
    500V
    Drain Source On Resistance
    39mΩ
    Drain Source On Resistance Typ
    35mΩ
    Fall Time 125C
    93 ns
    Gate Drain Charge
    140 nC
    Gate Source Charge
    80 nC
    Gate Source Leakage Current
    ±150 nA
    Isolation Voltage
    2500V
    Max Power Dissipation
    781W
    Mounting Torque Heatsink
    3-5 N.m
    Mounting Torque Terminals
    2-3.5 N.m
    Operating Case Temperature
    -40°C ~ 100°C
    Operating Junction Temperature
    -40°C ~ 150°C
    Package Type
    SP6
    Package Weight
    280 g
    Repetitive Avalanche Energy
    50 mJ
    Rise Time 125C
    38 ns
    Single Pulse Avalanche Energy
    3000 mJ
    Transistor Junction To Case Thermal Resistance
    0.16°C/W
    Turn Off Delay Time 125C
    75 ns
    Turn Off Switching Energy 125C
    2026 µJ
    Turn Off Switching Energy 25C
    1690 µJ
    Turn On Delay Time 125C
    21 ns
    Turn On Switching Energy 125C
    3112 µJ
    Turn On Switching Energy 25C
    2070 µJ
    Zero Gate Voltage Drain Current 125C
    1000µA
    Zero Gate Voltage Drain Current 25C
    200µA

    Детали продукта

    This asymmetrical bridge DSS power module features Power MOS 7® MOSFETs with low Rds(on), low gate charge, and low capacitance. It is designed for high-frequency operation with very low stray inductance and symmetrical design. The module includes Kelvin source connections for easy drive and M5 power connectors. It offers high integration, direct mounting to heatsink, low thermal resistance, and is RoHS compliant.

    Ключевые особенности

    • Power MOS 7® MOSFETs, Low Rds(on), Low input and Miller capacitance, Low gate charge, Avalanche energy rated, Very rugged, Kelvin source for easy drive, Very low stray inductance, Symmetrical design, M5 power connectors, High level of integration, RoHS compliant

    Сценарии применения

    • Welding converters
    • Switched Mode Power Supplies
    • Switched Reluctance Motor Drives

    Документы

    Datasheets:

    APTM50DHM35GPower Products Catalog
    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты
    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • APT33N90JCU2
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5349BE3
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • APTMC120AM20CT1AG
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1.5KE400CAE3/TR13
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N4755A G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5258A (DO-35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N4890A
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • MXPLAD6.5KP16CAE3
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N4740A G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1.5KE75AE3/TR13
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    APTC90DSK12T1G

    APTC90DSK12T1G

    MICROSEMI

    CDLL3046B-1

    CDLL3046B-1

    MICROSEMI

    APT10SCD65K

    APT10SCD65K

    MICROSEMI

    APT70GR65B2DU40

    APT70GR65B2DU40

    MICROSEMI

    2N3019-JANTX

    2N3019-JANTX

    MICROSEMI

    2EZ3.6D5DO41E3

    2EZ3.6D5DO41E3

    MICROSEMI

    1N5531B (DO35)

    1N5531B (DO35)

    MICROSEMI

    1N4681 (DO35)

    1N4681 (DO35)

    MICROSEMI

    1N821A (DO35)

    1N821A (DO35)

    MICROSEMI

    1.5KE75CAE3/TR13

    1.5KE75CAE3/TR13

    MICROSEMI

    Diodes & Rectifiers(136426)Discrete & Power Modules(14567)Thyristors(12548)

    Нет недавно просмотренных товаров

    BEST SELL
    K4B4G1646E-BYK0

    K4B4G1646E-BYK0

    SAMSUNG

    BEST SELL
    ISM330DHCX

    ISM330DHCX

    STMicroelectronics

    BEST SELL
    SBAV99LT1G

    SBAV99LT1G

    Onsemi

    BEST SELL
    FS32K118LFT0VLHT

    FS32K118LFT0VLHT

    NXP

    BEST SELL
    S9KEAZ128AMLK

    S9KEAZ128AMLK

    NXP

    BEST SELL
    K4AAG085WA-BIWE

    K4AAG085WA-BIWE

    SAMSUNG

    BEST SELL
    KLMAG1JETD-B041009

    KLMAG1JETD-B041009

    SAMSUNG

    BEST SELL
    BQ27441DRZR-G1AG4

    BQ27441DRZR-G1AG4

    Texas Instruments

    BEST SELL
    INA226AIDGSR

    INA226AIDGSR

    Texas Instruments

    BEST SELL
    MT48LC16M16A2P-6A IT:G

    MT48LC16M16A2P-6A IT:G

    Micron