M29F160FB55N3E2 Overview

В терминах своего типа памяти, она может быть классифицирована как Non-Volatile. Корпус поставляется в размере Tray. Корпус встроен в 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width). Размер памяти на чипе составляет 16Mb 2M x 8 1M x 16. Это устройство использует преимущества формата FLASH. Расширенный диапазон рабочих температур устройства от -40°C до 125°C TA делает его идеальным для многих требовательных приложений. Устройство способно обрабатывать напряжение питания от 4.5V до 5.5V. Рекомендуемый тип монтажа для этого устройства — Surface Mount. На чипе есть 48 терминаций. Комплексная рабочая процедура поддерживается 1 функцией в этой части. Напряжение 5V требуется для работы этого устройства памяти. Обычно выбирают аналогичные детали, ссылаясь на базовый номер детали устройства, M29F160. Для упаковки этого устройства памяти используется 48-контактный пакет. Устройство памяти такого типа имеет 48 контактов, что указывает на наличие 48 мест памяти на устройстве. Есть примечание, в котором указано, что этот чип памяти работает при 5V. Что касается его номинального тока питания, этот компонент памяти имеет рейтинг 20mA. Он также имеет функцию BOTTOM BOOT BLOCK для повышения производительности системы, несмотря на все его преимущества. Этот чип памяти требует только 5V питания. Всего в этой памяти присутствует 12131 конкретных размеров разделов. Когда дело доходит до напряжения, чип работает хорошо при рабочем напряжении 4.5V.

M29F160FB55N3E2 Features

Пакет / Корпус: 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
48 Контактов
Рабочее напряжение питания:5V
Дополнительная функция:BOTTOM BOOT BLOCK

M29F160FB55N3E2 Applications

Существует множество приложений памяти Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3E2 Memory applications.

• eSRAM
• мейнфреймы
• мультимедийные компьютеры
• сетевые технологии
• персональные компьютеры
• серверы
• суперкомпьютеры
• телекоммуникации
• рабочие станции,
• буфер DVD-диска