Обзор TE28F640P33B85A

По типу памяти она может быть классифицирована как энергонезависимая. Корпус поставляется в размере Tray. Корпус встроен в 56-TFSOP (0.724, 18.40 мм ширина). Размер памяти на чипе составляет 64 Мб 4M x 16. Это устройство использует преимущества формата FLASH. Расширенный диапазон рабочих температур устройства -40°C~85°C TC делает его идеальным для многих требовательных приложений. Устройство способно обрабатывать напряжение питания 2.3V~3.6V. Рекомендуемый тип монтажа для этого устройства - поверхностный монтаж. На чипе есть 56 терминалов. Полная рабочая процедура поддерживается 1 функцией в этой части. Для работы этого устройства памяти требуется напряжение 3V. Существует вращение тактовой частоты памяти в диапазоне 40 МГц. Обычно выбирают аналогичные детали, ссылаясь на базовый номер детали устройства, 28F640P33. Используется 56-контактный корпус для упаковки этого устройства памяти. Устройство памяти такого типа имеет 56 контактов, что указывает на наличие 56 ячеек памяти на устройстве. Оно использует поверхностный монтаж, который является эффективным и простым методом монтажа. Что касается номинального тока питания, этот компонент памяти имеет рейтинг 28 мА. Оно также имеет возможность СИНХРОННОГО РЕЖИМА ВЗРЫВНОЙ РАБОТЫ для повышения производительности системы, несмотря на все его достоинства. Устройства памяти серии StrataFlash™ играют важную роль в приложениях, на которые они нацелены. Для изменения состояния определенных массивов энергонезависимой памяти требуется программируемое напряжение 3V.

Особенности TE28F640P33B85A

Корпус: 56-TFSOP (0.724, 18.40 мм ширина)
56 контактов
Дополнительная функция: СИНХРОННОЙ РЕЖИМ ВЗРЫВНОЙ РАБОТЫ ТАКЖЕ ВОЗМОЖЕН

Применения TE28F640P33B85A

Существует множество приложений памяти Micron Technology Inc.
TE28F640P33B85A Memory applications.

• eSRAM
• главные компьютеры
• мультимедийные компьютеры
• сетевые технологии
• персональные компьютеры
• серверы
• суперкомпьютеры
• телекоммуникации
• рабочие станции,
• буфер DVD-диска